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公开(公告)号:CN108536210B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201810752568.7
申请日:2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种平滑温度补偿带隙基准源电路,属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块,启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态,并在带隙基准源电路正常工作后关断;偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压;带隙基准核心模块用来产生基准电压,高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本发明提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿,减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移,实现了在整个温度范围的高阶补偿,从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。
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公开(公告)号:CN109699081A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201711002735.8
申请日:2017-10-24
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种M2M和H2H混合业务下的接入控制方法,包括:接收H2H接入请求和M2M接入请求,其中,H2H接入请求和M2M接入请求同时发起,H2H接入请求用于请求将H2H业务接入到共享无线信道,M2M接入请求用于请求将M2M业务接入到共享无线信道;基于H2H业务的特性和H2H业务的特性,对H2H业务和M2M业务动态分配随机接入信道。本发明解决了现有技术中在对M2M和H2H混合业务下的接入控制时,存在接入成功率低的技术问题,本申请通过有效地利用了M2M业务和H2H业务各自可容忍时延的特性,实现了提高M2M和H2H混合业务下接入成功率的技术效果。同时,本发明还公开了一种M2M和H2H混合业务下的接入控制装置。
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公开(公告)号:CN106452102B
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201611002910.9
申请日:2016-11-10
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种变频器,包括功率因数校正电路,SEPIC升降压电路,采样电路,PWM发生电路,正弦脉宽调制电路,驱动电路,逆变电路。本发明适用于家庭变频等场所进行变频,加入了功率因数校正模块,可将输入的电流波形校正为与电压波形基本一致,相位一样,可保证电力的有效应用,且不会污染电网。
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公开(公告)号:CN107819709A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201711024002.4
申请日:2017-10-26
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种移动目标检测的方法和装置,用于提高移动目标的检测精度,降低检测的软硬件成本。所述方法包括:接收射频模块发射的数字信号,将所述数字信号转换为时域数字基带信号,其中,所述数字信号为对预设延迟多普勒域符号进行OTFS调制,再通过一维傅立叶逆变换后,经过数模转换后通过所述射频模块向室内发射的信号;对所述时域数字基带信号进行OTFS信号解调,获得延迟多普勒域的信道估计;基于所述信道估计,确定移动目标的数量。
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公开(公告)号:CN107290241A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201710637333.9
申请日:2017-07-31
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N5/02
CPC classification number: G01N5/025
Abstract: 本发明公开了一种QCM湿度传感器,其特征在于:包括压电晶片、绝缘层、金属电极层和湿度敏感薄膜层;所述金属电极层包括第一金属电极层和第二金属电极层;所述第一金属电极层包括两个电极,分别设置于压电晶片两个面上,其中一个电极表面设有绝缘层;所述绝缘层表面上设有第二金属电极层,第二金属电极层表面设有湿度敏感薄膜层。本发明QCM湿度传感器具有双金属电极层的结构,能够达到高灵敏度检测低湿,同时能够增强传感器的稳定性,并且成本低、湿度检测范围大、灵敏度高、响应快、重复性好、制作工艺简单,可以广泛应用于低湿度检测和高精度湿度检测领域。
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公开(公告)号:CN106841331B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201710216996.3
申请日:2017-04-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种柔性电容式湿度传感器,其特征在于:包括柔性衬底(1)、电极(2)和湿敏材料层(4);所述电极(2)设置在柔性衬底(1)的一个表面上,柔性衬底(1)相对的另一个表面上设置有湿敏材料层(4),电极(2)和湿敏材料层(4)通过柔性衬底(1)隔开;所述电极(2)由导线引出。本发明柔性电容式湿度传感器,采用背面涂覆敏感材料的方式,以及电极保护层的设置,既能防止电极吸附水气之后被氧化,又能防止电极吸附水气对测量造成误差,提高测量的准确性,延长传感器的使用寿命,增强传感器的稳定性;同时所采用的PET材料柔软度好,可以任意弯曲,适用于多个领域。
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公开(公告)号:CN108198853B
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201810174388.5
申请日:2018-03-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法,该器件包括P型衬底,P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱,深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层,在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层,深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极,P阱上形成有N+源极和P+源极,在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅,多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离,其中,注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层,多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本发明能够在同样击穿电压前提下,获得更低的比导通电阻。
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公开(公告)号:CN108599535A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810743641.4
申请日:2018-07-09
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 一种适用于峰值电流模BUCK变换器的自适应斜坡补偿电路,属于电子电路技术领域。包括自适应电流产生模块和斜坡发生模块,自适应电流产生模块的输入端连接峰值电流模BUCK变换器的输入电压和输出电压,用于产生与输入电压和输出电压的差值成正比的自适应电流;斜坡发生模块将自适应电路产生模块产生的自适应电流信号转化为斜坡电压信号。本发明产生的自适应斜坡补偿电压信号不仅解决了环路稳定性的问题,同时还保证了在全占空比范围内系统品质因数Q都为最优值并且保持恒定不变,大大的加速了系统瞬态响应速度。
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公开(公告)号:CN109725336A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201711050168.3
申请日:2017-10-31
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01S19/24
Abstract: 本发明公开了一种卫星信号的快速捕获方法,包括:接收卫星发射的卫星信号,卫星信号为模拟信号;将卫星信号转换为卫星数字信号;获取本地C/A码;基于三阶多项式插值算法,对卫星数字信号、以及本地C/A码分别进行信号重构,获得重构信号,其中,重构信号的采样频率为2N,N为整数;对重构信号进行FFT或IFFT运算,从而实现对卫星信号的快速捕获。本发明实现了降低GPS信号捕获的运算量,降低GPS接收机的功耗的技术效果。同时,本发明还公开了一种卫星信号的快速捕获装置。
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公开(公告)号:CN108563280A
公开(公告)日:2018-09-21
申请号:CN201810511655.3
申请日:2018-05-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种提升电源抑制比的带隙基准源,属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构,该预稳压电路结构包括两条支路,分别是第五PMOS管和第二NMOS管,以及第六PMOS管和第三NMOS管,由于反馈的作用,这两条支路均是低阻抗支路,因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比,从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升;启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位,同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极,启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升,同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
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