公开(公告)号：CN117727531A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311716136.8

申请日：2018-06-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： F·王 ,  Y·张 ,  N·T·莫菲 ,  B·津恩 ,  J·P·戴维斯

IPC: H01F10/08 ,  H01F10/12 ,  H01F3/00 ,  H01F41/14 ,  H01F41/32 ,  H01F41/02

Abstract: 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。

公开(公告)号：CN109036765A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810561056.2

申请日：2018-06-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： F·王 ,  Y·张 ,  N·T·莫菲 ,  B·津恩 ,  J·P·戴维斯

IPC: H01F10/08 ,  H01F41/14 ,  H01F41/32

Abstract: 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。

公开(公告)号：CN107851554A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045484.9

申请日：2016-08-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·P·戴维斯 ,  A·F·伯内特 ,  B·E·津恩

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L24/03 ,  B24B37/042 ,  C23F1/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76865 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102

Abstract: 在所描述的示例中，通过下列步骤来形成微电子器件(100)：提供在顶表面(130)处具有凹部(124)的衬底，和形成在衬底的顶表面(130)上方并延伸到凹部(124)中的衬里层(132)。在衬里层(132)上方形成保护层(138)，该保护层延伸到凹部(124)中。CMP工艺(142)从衬底的顶表面(130)上方去除保护层(138)和衬里层(132)，将保护层(138)和衬里层(132)留在凹部(124)中。随后从凹部(124)去除保护层(138)，将衬里层(132)留在凹部(124)中。衬底可以包括具有键合焊盘(116)的互连区域(104)和具有形成凹部(124)的开口的PO层(122)；键合焊盘(116)暴露在凹部(124)中。凹部(124)中的衬里层(132)可以是适于随后形成的引线键合或凸块键合的金属衬里。