公开(公告)号：CN117727531A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311716136.8

申请日：2018-06-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： F·王 ,  Y·张 ,  N·T·莫菲 ,  B·津恩 ,  J·P·戴维斯

IPC: H01F10/08 ,  H01F10/12 ,  H01F3/00 ,  H01F41/14 ,  H01F41/32 ,  H01F41/02

Abstract: 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。

公开(公告)号：CN109036765A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810561056.2

申请日：2018-06-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： F·王 ,  Y·张 ,  N·T·莫菲 ,  B·津恩 ,  J·P·戴维斯

IPC: H01F10/08 ,  H01F41/14 ,  H01F41/32

Abstract: 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。