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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100580805C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610092362.3
申请日：2006-06-01
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: G11C11/403 , G11C11/406
CPC classification number: G11C11/406 , G11C5/063 , G11C5/147 , G11C8/08 , G11C11/4074 , G11C2211/4068
Abstract: 在半导体器件中，内部地产生的电源电压VPP被监视。如果内部地产生的电源电压VPP低于下限电压，那么选择连续刷新作为双刷新操作模式。在连续刷新中，用于配对地址的双刷新被插入下一刷新周期中。通过连续刷新，抑制内部地产生的电源电压VPP的减小。
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公开(公告)号：CN1877737A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610092362.3
申请日：2006-06-01
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: G11C11/403 , G11C11/406
CPC classification number: G11C11/406 , G11C5/063 , G11C5/147 , G11C8/08 , G11C11/4074 , G11C2211/4068
Abstract: 在半导体器件中，内部地产生的电源电压VPP被监视。如果内部地产生的电源电压VPP低于下限电压，那么选择连续刷新作为双刷新操作模式。在连续刷新中，用于配对地址的双刷新被插入下一刷新周期中。通过连续刷新，抑制内部地产生的电源电压VPP的减小。
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公开(公告)号：CN1823392A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020476.6
申请日：2004-07-13
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808
Abstract: 在具有冗余电路的半导体存储器件中，该冗余电路用于处理缺陷存储单元的修复，被不均匀分布的存储单元缺陷能够被有效地修复。该半导体存储器件具有多个存储块，该存储块包括多个段。用于替代段的缺陷数据的冗余存储块被物理地提供给每个存储块。冗余存储块的块地址被逻辑地共同分配给多个存储块。
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公开(公告)号：CN100472651C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410097379.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/41 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C11/4094 , G11C7/12 , G11C2207/2227
Abstract: 一种半导体存储装置，能够抑制芯片面积的增大，减小交扰不良所造成的位线和字线之间的短路所造成的低电功率(パワ一ダウン)时的漏电流。包含连接在把预充电电位给予位线的电源线(VBLR)和位线之间、在栅极端子输入控制信号(BLEQT)的预充电·均衡用的NMOS晶体管，低电功率时，对晶体管的栅极端子提供比通常动作时的预充电动作时施加的电位VPP(例如3.2)低的电位(0.7～1.4)，从而减小了交扰不良所造成的位线和字线之间的短路所造成的漏电流。
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公开(公告)号：CN1627439A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410097379.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/41 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C11/4094 , G11C7/12 , G11C2207/2227
Abstract: 一种半导体存储装置，能够抑制芯片面积的增大，减小交扰不良所造成的位线和字线之间的短路所造成的低电功率(パワ一ダウン)时的漏电流。包含连接在把预充电电位给予位线的电源线(VBLR)和位线之间、在栅极端子输入控制信号(BLEQT)的预充电·均衡用的NMOS晶体管，低电功率时，对晶体管的栅极端子提供比通常动作时的预充电动作时施加的电位VPP(例如3.2)低的电位(0.7～1.4)，从而减小了交扰不良所造成的位线和字线之间的短路所造成的漏电流。
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