公开(公告)号：CN100541855C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200610143924.2

申请日：2006-11-02

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  佐藤夏树 ,  泰勒·A·劳里 ,  盖·C·威克 ,  沃洛季米尔·丘巴蒂耶 ,  斯蒂芬·J·赫金斯

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。

公开(公告)号：CN1960020A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143924.2

申请日：2006-11-02

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  佐藤夏树 ,  泰勒·A·劳里 ,  盖·C·威克 ,  沃洛季米尔·丘巴蒂耶 ,  斯蒂芬·J·赫金斯

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。