公开(公告)号：CN100364067C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410031392.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  佐久间浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

Abstract: 一种形成电容绝缘膜的方法，包括的步骤是：通过供给包括金属而不含氧的金属源，在底膜上沉积由金属构成的单原子膜，采用CVD技术沉积包含所述金属的金属氧化膜。这种方法能够高生产量地提供具有更好的膜特性的金属氧化膜。

公开(公告)号：CN1534741A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031392.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  佐久间浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

Abstract: 一种形成电容绝缘膜的方法，包括的步骤是：通过供给包括金属而不含氧的金属源，在底膜上沉积由金属构成的单原子膜，采用CVD技术沉积包含所述金属的金属氧化膜。这种方法能够高生产量地提供具有更好的膜特性的金属氧化膜。

公开(公告)号：CN100428445C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200610110139.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 荒尾孝 ,  小柳贤一 ,  米田贤司 ,  中西成彦 ,  五味秀树

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

Abstract: 首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温度被增加到预定氮化温度，此后以比通常更平缓的速率降低温度。此后在下电极上形成氧化铝(Al2O3)或其他金属氧化物介电膜作为电容性绝缘膜，以及在电容性绝缘膜上形成上电极。

公开(公告)号：CN1909213A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610110139.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 荒尾孝 ,  小柳贤一 ,  米田贤司 ,  中西成彦 ,  五味秀树

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

Abstract: 首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温度被增加到预定氮化温度，此后以比通常更平缓的速率降低温度。此后在下电极上形成氧化铝(Al2O3)或其他金属氧化物介电膜作为电容性绝缘膜，以及在电容性绝缘膜上形成上电极。