公开(公告)号：CN100428445C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200610110139.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 荒尾孝 ,  小柳贤一 ,  米田贤司 ,  中西成彦 ,  五味秀树

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

Abstract: 首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温度被增加到预定氮化温度，此后以比通常更平缓的速率降低温度。此后在下电极上形成氧化铝(Al2O3)或其他金属氧化物介电膜作为电容性绝缘膜，以及在电容性绝缘膜上形成上电极。

公开(公告)号：CN1909213A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610110139.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 荒尾孝 ,  小柳贤一 ,  米田贤司 ,  中西成彦 ,  五味秀树

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

Abstract: 首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温度被增加到预定氮化温度，此后以比通常更平缓的速率降低温度。此后在下电极上形成氧化铝(Al2O3)或其他金属氧化物介电膜作为电容性绝缘膜，以及在电容性绝缘膜上形成上电极。