公开(公告)号：CN101026158A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710084103.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 西尾洋二 ,  植松裕 ,  大坂英树 ,  原敦 ,  船场诚司

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4099 ,  G11C7/14 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C7/1078 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/109

Abstract: 一种半导体装置，进一步确保输入电路中的参照电压的噪声容限。上述半导体装置包括：焊盘(14)，输入参照电压(Vref)；输入电路(13)；电阻元件(R1)，连接在输入电路(13)的输入端与焊盘(14)之间；电容元件(C1)，连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的电源VDD之间；以及电容元件(C2)，连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的接地VSS之间。上述半导体装置，根据参照电压(Vref)的供电网的阻抗特性，确定电阻元件(R1)的电阻值。

公开(公告)号：CN100570738C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610071011.4

申请日：2006-03-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 关口知纪 ,  大坂英树 ,  井户立身 ,  永岛靖 ,  片桐光昭 ,  安生一郎

IPC: G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4096 ,  H01L24/50

Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101)，所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS)，并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113)，每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路，其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上，能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。

公开(公告)号：CN1841551A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610071011.4

申请日：2006-03-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 关口知纪 ,  大坂英树 ,  井户立身 ,  永岛靖 ,  片桐光昭 ,  安生一郎

IPC: G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4096 ,  H01L24/50

Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101)，所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS)，并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113)，每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路，其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上，能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。