公开(公告)号：CN100464419C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200610073556.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 片桐光昭 ,  柴本正训 ,  原敦 ,  青木孝一郎 ,  谏田尚哉 ,  菊地修司 ,  谷江尚史

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/50 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011

Abstract: 本发明的层叠型半导体装置具有：底部基板，在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列，并具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形；一个或多个半导体芯片，具有以和上述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列，被层叠在上述底部基板上；和一个或多个内插基板，形成有包括多个布线的布线层，上述多个布线电连接上述焊盘列的焊盘和上述端子列的连接端子，被配置为彼此大致平行且大致等长。

公开(公告)号：CN1845325A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610073556.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 片桐光昭 ,  柴本正训 ,  原敦 ,  青木孝一郎 ,  谏田尚哉 ,  菊地修司 ,  谷江尚史

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/50 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011

Abstract: 本发明的层叠型半导体装置具有：底部基板，在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列，并具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形；一个或多个半导体芯片，具有以和上述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列，被层叠在上述底部基板上；和一个或多个内插基板，形成有包括多个布线的布线层，上述多个布线电连接上述焊盘列的焊盘和上述端子列的连接端子，被配置为彼此大致平行且大致等长。

公开(公告)号：CN101026158A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710084103.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 西尾洋二 ,  植松裕 ,  大坂英树 ,  原敦 ,  船场诚司

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4099 ,  G11C7/14 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C7/1078 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/109

Abstract: 一种半导体装置，进一步确保输入电路中的参照电压的噪声容限。上述半导体装置包括：焊盘(14)，输入参照电压(Vref)；输入电路(13)；电阻元件(R1)，连接在输入电路(13)的输入端与焊盘(14)之间；电容元件(C1)，连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的电源VDD之间；以及电容元件(C2)，连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的接地VSS之间。上述半导体装置，根据参照电压(Vref)的供电网的阻抗特性，确定电阻元件(R1)的电阻值。