公开(公告)号：CN1649156A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410059367.7

申请日：2004-06-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松浦克好 ,  能代英之 ,  土手晓

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO2覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO2覆盖膜中的湿气。然后，在SiO2覆盖膜上形成Al2O3膜。随后，在氧化气氛中在Al2O3膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al2O3膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO2膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。

公开(公告)号：CN101093795A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710126300.4

申请日：2004-06-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松浦克好 ,  能代英之 ,  土手晓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成层间绝缘膜；平面化层间绝缘膜的表面；在层间绝缘膜上形成氧化铝膜；在氧化气氛中加热氧化铝膜；以及在氧化铝膜上形成铁电电容器。通过本发明的制造方法，可以防止过量的铝存在于氧化铝膜的表面上，从而改进了在氧化铝膜上形成的铂膜的结晶化，使得半导体器件具有高可靠性。

公开(公告)号：CN100334736C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410059367.7

申请日：2004-06-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松浦克好 ,  能代英之 ,  土手晓

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO2覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO2覆盖膜中的湿气。然后，在SiO2覆盖膜上形成Al2O3膜。随后，在氧化气氛中在Al2O3膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al2O3膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO2膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。