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发明公开
一种用于存内计算的行列布尔运算电路审中-实审

公开(公告)号：CN114446350A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210090221.7

申请日：2022-01-25

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 , 杜皓宇 , 郝礼才 , 彭春雨 , 赵强 , 吴秀龙 , 蔺智挺 , 高珊 , 陈军宁

IPC: G11C11/414 , G11C11/416

Abstract: 本发明公开了一种用于存内计算的行列布尔运算电路，包括SRAM阵列、行译码单元、读字线控制单元和灵敏放大器SA；SRAM阵列中的每个Bitcell均采用8管SRAM单元；该8管SRAM单元在传统6管SRAM单元基础上增加了可以读出数据的控制端口，即NMOS晶体管N5和NMOS晶体管N6，并且增加了读字线RWL和读位线RBL，从而使本发明不仅能实现列的布尔运算，而且能实现行的布尔运算，还能实现矩阵的转置计算，这大大提高了存内计算的能力。

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