公开(公告)号：CN114758700A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210257495.0

申请日：2022-03-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 刘立 ,  张炳城 ,  卢文娟 ,  彭春雨 ,  郝礼才 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺

IPC: G11C11/416

Abstract: 本发明公开了一种读写分离的12T TFET SRAM单元电路，包括八个NTFET晶体管和四个PTFET晶体管，其中PTFET晶体管P3和NTFET晶体管N3组成反相器，PTFET晶体管P4和NTFET晶体管N4组成另一个反相器；且PTFET晶体管P1和P2作为写操作时的上拉电路结构；NTFET晶体管N1、N2、N5、N6构成写电路部分，能消除TFET作为SRAM传输管时出现的正偏电压所造成的正偏漏电流问题；NTFET晶体管N7和N8构成读电路部分。上述电路不仅提高了SRAM单元的写能力，而且还消除了当TFET用作SRAM单元的传输晶体管时出现正向偏置漏电流泄漏的问题。

公开(公告)号：CN114758700B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202210257495.0

申请日：2022-03-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 刘立 ,  张炳城 ,  卢文娟 ,  彭春雨 ,  郝礼才 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺

IPC: G11C11/416

Abstract: 本发明公开了一种读写分离的12T TFET SRAM单元电路，包括八个NTFET晶体管和四个PTFET晶体管，其中PTFET晶体管P3和NTFET晶体管N3组成反相器，PTFET晶体管P4和NTFET晶体管N4组成另一个反相器；且PTFET晶体管P1和P2作为写操作时的上拉电路结构；NTFET晶体管N1、N2、N5、N6构成写电路部分，能消除TFET作为SRAM传输管时出现的正偏电压所造成的正偏漏电流问题；NTFET晶体管N7和N8构成读电路部分。上述电路不仅提高了SRAM单元的写能力，而且还消除了当TFET用作SRAM单元的传输晶体管时出现正向偏置漏电流泄漏的问题。