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公开(公告)号:CN119091943A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411210019.9
申请日:2024-08-30
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , H10B10/00 , G11C11/418 , G11C11/419 , G11C15/04
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种10T‑SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片。10T‑SRAM单元由P1~P2和N1~N8构成。其中,P1、P2、N1~N4构成6T存储单元,剩余器件构成配置电路。N5和N6的栅极分别连接在6T存储单元中的存储节点Q和QB上;N7和N8的栅极分别接控制信号SL和SR;N5的漏极与N7的源极相连;N8的源极与N6的漏极相连;N5、N6的源极连接在传递信号线TL上,N7、N8的漏极连接在标志信号线ML上。将多个10T‑SRAM阵列排布,同行中相邻单元的TL和ML相连则构成双通道读与内容寻址的逻辑电路。本发明的电路同时具备数据存储,双通道数据读以及内容寻址功能;电路简单却功能强大,可以克服现有电路的效率和功耗缺陷。
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公开(公告)号:CN119917061A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510412737.2
申请日:2025-04-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F7/544
Abstract: 本申请涉及一种有符号数乘累加运算电路、CIM芯片和电子设备,其中,该有符号数乘累加运算电路包括:权重存储阵列,其包括若干行列分布的存储模块,每个存储模块包括存储单元和NMOS管N5和N6,N5的栅极和漏极分别连接存储单元的存储节点QB和N6的源极,同列N5的源极连接同一位线BL,同行N6的栅极连接同一计算字线IWL,同列N6的漏极连接同一位线SL,位线BL的还连接参考电压,位线SL的还连接地端VSS,对多比特位权重W进行编码形成w=2W+1后按行存储在权重存储阵列中。该电路在更低的时间、面积和功耗开销下实现有符号数据的MAC存内计算,解决了目前有符号数乘累加运算电路的乘累加计算效率较低的问题。
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