公开(公告)号：CN104503012A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410802449.X

申请日：2014-12-18

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张然 ,  褚金奎 ,  刘泽 ,  王志文 ,  王倩怡

IPC: G02B5/18 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B5/1857 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及一种单层纳米金属光栅的制备方法，属于纳米制造技术领域，所述制备方法包括如下步骤：①先将基底涂上压印胶，再将具有纳米光栅图形的压印模板压入压印胶，得到一维纳米光栅结构的压印胶层，最后将压印残胶层去除；②在基底上有纳米光栅图形的一面沉积金属层，在压印胶层的上面形成上层金属纳米光栅层，在基底的上面形成下层金属纳米光栅层；③将压印胶层去除，得到单层纳米金属光栅，本发明有益效果为工艺步骤简单，操作容易，成本低，制作周期短及适合批量生产。