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    照明装置、显示装置以及电视接收装置
    1.
    发明授权
    照明装置、显示装置以及电视接收装置 失效

    公开(公告)号：CN102597604B

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：CN201080050261.4

    申请日：2010-11-09

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 小坂知裕 ,  杉原利典 ,  大崎智文 ,  吉田壮寿

    IPC: G02F1/13357

    CPC classification number: G02B6/008 ,  G02B6/0055 ,  G02B6/0061 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133611 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133601 ,  G02F2203/023

    Abstract: 本发明的目的在于提供将光源集中配置在端部且能部分地控制是否发光的照明装置。本发明的背光源装置(12)具备：并列配置在端部的多个作为光源的LED(17)；导光部(22)，其沿着LED(17)的并列方向(X轴方向)并列配置多个，并且被来自LED(17)的光入射；以及出光部(23)，其沿着与LED(17)的并列方向交叉的方向(Y轴方向)并列配置多个，并且使来自导光部(22)的光出射，在多个出光部(23)中，至少包括：第1出光部(23A)，其相对地配置在LED(17)侧；和第2出光部(23B)，其相对地配置在比第1出光部(23A)靠与LED(17)侧相反的一侧(中央侧)，而在多个导光部(22)中，包括：第1导光部(22A)，其与第1出光部(23A)光学连接；和第2导光部(22B)，其与第2出光部(23B)光学连接。

    液晶显示面板
    3.
    发明公开
    液晶显示面板 有权

    公开(公告)号：CN108351557A

    公开(公告)日：2018-07-31

    申请号：CN201680062508.1

    申请日：2016-10-24

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 下敷领文一 ,  杉原利典 ,  吉田壮寿

    IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1343

    CPC classification number: G02F1/1337 ,  G02F1/1343

    Abstract: 本发明提供一种透过率高且抑制了暗线的产生及指压痕的产生的液晶显示面板。本发明的液晶显示面板依序包含具有像素电极的第一基板、液晶层、以及具有对向电极的第二基板；液晶显示面板具有像素，此像素包含液晶分子的倾斜方位互不相同的、至少四个取向区域，四个取向区域沿着像素的长边方向配置，像素电极具有线状的狭缝，且按取向区域，配置于像素的长边方向的像素端的任一方、与像素的短边方向的中心线之间的区域，在未施加电压时，液晶分子实质上相对于第一基板及第二基板垂直地、且沿着倾斜方位倾斜地取向，扭曲角实质上为45°以下，在施加电压时，液晶分子沿着倾斜方位更大幅度地倾斜，在配置有狭缝的区域中，液晶分子的倾斜方位为规定的方位。

    半导体装置及其制造方法以及电子设备
    6.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法以及电子设备 无效

    公开(公告)号：CN1806322A

    公开(公告)日：2006-07-19

    申请号：CN200480016784.1

    申请日：2004-06-14

    Applicant: 夏普株式会社 ,  大野英男 ,  川崎雅司

    Inventor： 杉原利典 ,  大野英男 ,  川崎雅司

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: 在薄膜晶体管(1)中，在绝缘性基板(2)上的栅电极(3)上，经由栅极绝缘层(4)层叠半导体层(5)，在其上面形成源电极(5)和漏电极(7)，进而形成将其上面覆盖的保护层(8)，使半导体层(5)与气氛隔离。半导体层(5)(活性层)采用例如添加了V族元素的ZnO的多晶状态的半导体而形成。ZnO是，因保护层(8)而减少其表面能级，由于向内部的耗尽层扩展被消除，因此ZnO为表示原本的电阻值的n型半导体，处于自由电子过剩的状态。由于被添加的元素相对ZnO作为受主杂质发挥作用，因此减少了过剩的自由电子。这样，由于用于排除过剩的自由电子的栅电极电压降低了，因此阈值电压处于0V附近。这样，一种将氧化锌用于活性层，且具有使活性层与气氛隔离的保护层的半导体装置便能够得到实用了。

    半导体装置及其制造方法以及电子设备
    7.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法以及电子设备 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN101916785A

    公开(公告)日：2010-12-15

    申请号：CN201010239835.4

    申请日：2004-06-14

    Applicant: 夏普株式会社 ,  大野英男 ,  川崎雅司

    Inventor： 杉原利典 ,  大野英男 ,  川崎雅司

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

    Abstract: 在薄膜晶体管(1)中，在绝缘性基板(2)上的栅电极(3)上，经由栅极绝缘层(4)层叠半导体层(5)，在其上面形成源电极(5)和漏电极(7)，进而形成将其上面覆盖的保护层(8)，使半导体层(5)与气氛隔离。半导体层(5)(活性层)采用例如添加了V族元素的ZnO的多晶状态的半导体而形成。ZnO是，因保护层(8)而减少其表面能级，由于向内部的耗尽层扩展被消除，因此ZnO为表示原本的电阻值的n型半导体，处于自由电子过剩的状态。由于被添加的元素相对ZnO作为受主杂质发挥作用，因此减少了过剩的自由电子。这样，由于用于排除过剩的自由电子的栅电极电压降低了，因此阈值电压处于0V附近。这样，一种将氧化锌用于活性层，且具有使活性层与气氛隔离的保护层的半导体装置便能够得到实用了。

    有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
    8.
    发明公开
    有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机 无效

    公开(公告)号：CN101903826A

    公开(公告)日：2010-12-01

    申请号：CN200880121500.3

    申请日：2008-08-27

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 津幡俊英 ,  杉原利典

    IPC: G02F1/1368

    CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136295

    Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机。一种有源矩阵基板，其具备：在行方向和列方向上并列的像素区域(5L、5R、5M)、彼此正交的扫描信号线(16α、16β)和数据信号线(Sp、Sq、sp、sq)、覆盖扫描信号线的栅极绝缘膜、和覆盖数据信号线的层间绝缘膜，并且按照与在行方向上相邻的两个像素区域(5L、5R)的间隙重叠的方式设置有两根数据信号线(Sq、sp)，其中，在层间绝缘膜上按照与上述两根数据信号线(Sq、sp)的间隙重叠的方式形成有挖通部(K)，该挖通部(K)的一部分隔着栅极绝缘膜而与扫描信号线(16α、16β)重叠。根据上述结构，在按照与相邻的两个像素区域的间隙重叠的方式设置有两根数据信号线的有源矩阵基板中，即使该两根数据信号线在扫描信号线上因残留物而短路，也能够不使这些配线露出地消除短路。

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