公开(公告)号：CN101971306A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108572.9

申请日：2009-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  守口正生 ,  多田宪史 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，所述半导体装置可以提高在被薄膜化的基体层中所形成的、且被接合到其它基板上的PMOS晶体管的亚阈特性。本发明的半导体装置是具备基板和器件部的半导体装置，所述器件部被接合到上述基板，上述器件部包含基体层和PMOS晶体管，上述PMOS晶体管包含第一电传导路径和第一栅极电极，上述第一电传导路径形成在上述基体层的配置有上述第一栅极电极的一侧。

公开(公告)号：CN101842871A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101842871B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。