公开(公告)号：CN101529263B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200780038764.8

申请日：2007-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 下村奈良和 ,  三本敏雄 ,  上山浩一

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G09G3/006 ,  G01R31/002 ,  G01R31/129 ,  G09G2330/04 ,  H01L27/0251

Abstract: 具有施加装置(10)和公共连接部(51)。其中，上述施加装置(10)施加脉冲电荷，包括：第1连接部(15)，可与源极驱动器(120)的输入端子或输出端子连接，并对源极驱动器(120)施加电荷；以及第2连接部(16)，可连接不同于上述与第1连接部(15)连接的端子的端子，并且，第2连接部(16)所连接的端子可接地。上述公共连接部(51)可与源极驱动器(120)的多个输出端子连接，并使得该多个输出端子彼此电连接。源极驱动器(120)的输出端子通过公共连接部(51)与第1连接部(15)或第2连接部(16)连接。上述结构能够更好地再现半导体器件的故障状况，从而对半导体器件的静电放电耐受能力进行评价。

公开(公告)号：CN107407985A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012660.9

申请日：2016-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 下村奈良和 ,  中上荣次

IPC: G06F3/041 ,  G01R31/02 ,  G06F3/044

Abstract: 提供一种可以简便地进行安装不良的检查的触控面板控制基板的检测方法。基于根据被提供至第一驱动线用端子(101E)的驱动信号而在其他的驱动线用端子(102E·103E)中所得到的响应，检测第一驱动线用端子(101E)和驱动线用端子(102E·103E)的电性连接状态。

公开(公告)号：CN109419486A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811005510.2

申请日：2018-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 钱岩 ,  浦川圭 ,  下村奈良和

IPC: A61B1/04 ,  A61B90/00 ,  A61B1/313

CPC classification number: A61B90/361 ,  A61B1/00045 ,  A61B1/00105 ,  A61B1/00114 ,  A61B1/00128 ,  A61B1/00147 ,  A61B1/00183 ,  A61B1/005 ,  A61B1/041 ,  A61B1/053 ,  A61B1/3132 ,  A61B2017/00283 ,  A61B1/04 ,  A61B90/37

Abstract: 本发明的课题在于实现一种体内摄影装置，其可简化于体内的摄影机的设置作业，且于设置后也可进行摄影机的微调。体内摄影装置(1)，包括：摄影机(11)；支承棒(13)，其插入于被导入至体内的管状器具(31)；及握持部(14)，其用于握持设于支承棒(13)的端部的摄影机(11)；握持部(14)于将支承棒(13)向体外侧上拉时，通过与管状器具(31)的体内侧端部(31a)抵接，以握持摄影机(11)的方式变形。

公开(公告)号：CN100546025C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN03154911.X

申请日：2003-08-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 下村奈良和

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电性的半导体基片；和在邻近半导体基片的内表面形成的第一电极形成区和第二电极形成区。第一电极形成区和第二电极形成区通过元件隔离区而互相隔离。在第一电极形成区和第二电极形成区之一中形成了上面的第一类型杂质层和下面的第一类型杂质层，下面的第一类型杂质层有不同于上面的第一类型杂质层的第一类型杂质浓度，并形成在上面的第一类型杂质层的下面。在另一个电极形成区，形成了第二类型杂质层和第一类型杂质层，且第一类型杂质层在具有第二类型杂质的第二类型杂质层的部分区域的下面形成。

公开(公告)号：CN110350346A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910260416.X

申请日：2019-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 钱岩 ,  浦川圭 ,  下村奈良和

IPC: H01R13/193 ,  H01R13/02

Abstract: 与所插入的插脚(公端子)(12)电连接的插口(母端子)(11)，其具有：按压部(14)，通过插脚(12)而施加按压；夹持片(13)，若按压部(14)被按压，则从允许插脚(12)插入的插入状态变形为夹入插脚(12)的夹持状态。

公开(公告)号：CN101529263A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038764.8

申请日：2007-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 下村奈良和 ,  三本敏雄 ,  上山浩一

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G09G3/006 ,  G01R31/002 ,  G01R31/129 ,  G09G2330/04 ,  H01L27/0251

Abstract: 具有施加装置(10)和公共连接部(51)。其中，上述施加装置(10)施加脉冲电荷，包括：第1连接部(15)，可与源极驱动器(120)的输入端子或输出端子连接，并对源极驱动器(120)施加电荷；以及第2连接部(16)，可连接不同于上述与第1连接部(15)连接的端子的端子，并且，第2连接部(16)所连接的端子可接地。上述公共连接部(51)可与源极驱动器(120)的多个输出端子连接，并使得该多个输出端子彼此电连接。源极驱动器(120)的输出端子通过公共连接部(51)与第1连接部(15)或第2连接部(16)连接。上述结构能够更好地再现半导体器件的故障状况，从而对半导体器件的静电放电耐受能力进行评价。

公开(公告)号：CN1534779A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN03154911.X

申请日：2003-08-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 下村奈良和

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电性的半导体基片；和在邻近半导体基片的内表面形成的第一电极形成区和第二电极形成区。第一电极形成区和第二电极形成区通过元件隔离区而互相隔离。在第一电极形成区和第二电极形成区之一中形成了上面的第一类型杂质层和下面的第一类型杂质层，下面的第一类型杂质层有不同于上面的第一类型杂质层的第一类型杂质浓度，并形成在上面的第一类型杂质层的下面。在另一个电极形成区，形成了第二类型杂质层和第一类型杂质层，且第一类型杂质层在具有第二类型杂质的第二类型杂质层的部分区域的下面形成。