静电放电耐受能力评价装置和静电放电耐受能力评价方法

    公开(公告)号:CN101529263A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200780038764.8

    申请日:2007-10-17

    Abstract: 具有施加装置(10)和公共连接部(51)。其中,上述施加装置(10)施加脉冲电荷,包括:第1连接部(15),可与源极驱动器(120)的输入端子或输出端子连接,并对源极驱动器(120)施加电荷;以及第2连接部(16),可连接不同于上述与第1连接部(15)连接的端子的端子,并且,第2连接部(16)所连接的端子可接地。上述公共连接部(51)可与源极驱动器(120)的多个输出端子连接,并使得该多个输出端子彼此电连接。源极驱动器(120)的输出端子通过公共连接部(51)与第1连接部(15)或第2连接部(16)连接。上述结构能够更好地再现半导体器件的故障状况,从而对半导体器件的静电放电耐受能力进行评价。

    静电放电耐受能力评价装置和静电放电耐受能力评价方法

    公开(公告)号:CN101529263B

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN200780038764.8

    申请日:2007-10-17

    Abstract: 具有施加装置(10)和公共连接部(51)。其中,上述施加装置(10)施加脉冲电荷,包括:第1连接部(15),可与源极驱动器(120)的输入端子或输出端子连接,并对源极驱动器(120)施加电荷;以及第2连接部(16),可连接不同于上述与第1连接部(15)连接的端子的端子,并且,第2连接部(16)所连接的端子可接地。上述公共连接部(51)可与源极驱动器(120)的多个输出端子连接,并使得该多个输出端子彼此电连接。源极驱动器(120)的输出端子通过公共连接部(51)与第1连接部(15)或第2连接部(16)连接。上述结构能够更好地再现半导体器件的故障状况,从而对半导体器件的静电放电耐受能力进行评价。

Patent Agency Ranking