公开(公告)号：CN103413837A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310284376.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  耿阳 ,  张卫

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明属于微电子领域，具体涉及一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器及其制备方法。本发明所涉及的MOS电容器，采用n型锗（Ge）作为半导体衬底，采用高介电常数的Al2O3薄膜和TiO2薄膜混合结构作为绝缘介质，并以Al2O3薄膜开始和结束薄膜叠层结构，最终形成金属/绝缘体/锗半导体结构。本发明采用原子层淀积技术制备锗上高介电常数绝缘介质，可以有效解决锗本征氧化物热稳定性和可溶于水的不足，为新型器件的研发提供宽广前景。

公开(公告)号：CN103579101A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310540962.1

申请日：2013-11-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明属于铜互连结构技术领域，具体为一种采用脉冲电镀铜方式实现铜互连的方法。本发明方法包括以下步骤：在半导体衬底上，使用等离子物理溅射法淀积介质层；使用物理溅射法溅射TaN作为扩散阻挡层，再溅射Ta作为粘附促进层；使用物理溅射法溅射铜籽晶层；将获得铜籽晶层的衬底切片成小矩形片；将所述小矩形片作为阴极，高纯度的铜棒作为阳极为进行脉冲电镀铜。其优点在于降低浓差极化，提高阴极电流密度和电镀效率，减少氢脆和镀层孔隙，提高纯度，改善镀层物理性能，所得镀层具有较好的防护性，能获得致密的低电阻率金属沉积层，具有更低的电阻率，抗电迁移能力。

公开(公告)号：CN103325729A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310235894.8

申请日：2013-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  张卫

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子领域工艺技术领域，具体涉及以原子层淀积技术实现铜互连的结构和合金以及其制备流程。本发明在传统氮化钽/钽扩散阻挡层基础上，利用原子层淀积（ALD）技术实现钌/铜（Ru/Cu）合金实现金属互连。传统的氮化钽/钽（TaN/Ta）扩散阻挡层淀积在刻蚀阻挡层和低介电常数填充物之上。扩散阻挡层同样采用原子层淀积技术实现以保证工艺流程的连续性和一致性。该方法借助了原子层淀积技术的优势，可以精确控制钌/铜合金的组分比，同时不失钌作为铜的籽晶层的作用。本发明不仅可以保证金属与扩散阻挡层的粘附，而且可以通过原子层淀积的工艺参数任意调节合金的组分比，以达到合适的性能。

公开(公告)号：CN103199162A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310133708.X

申请日：2013-04-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢章熠 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，具体为一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件及其制备方法。该器件主要由阳极氧化铝和氧化锌相接触，表现出极强的光致发光光谱可调现象。这一结构解决了氧化锌性质不稳定的缺点，并结合了阳极氧化铝多孔结构具有极高的表面积体积比的优势。该器件具有成本低廉，步骤简单，性能稳定的特点。本发明还提出阳极氧化铝从铝薄膜上生长出来，并且可以将铝薄膜和各种半导体工业中的新型高迁移率衬底材料相结合的方法，极大的拓宽了本发明的应用范围。