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公开(公告)号：CN102222698A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010149401.5
申请日：2010-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/51
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本发明的薄膜晶体管以玻璃或柔性衬底为基底，采用真空镀膜技术制备宽禁带氧化物半导体沟道层，采用旋涂法或浸渍提拉法制备有机介质层，采用真空镀膜方法制备透明导电氧化物薄膜栅电极、源电极和漏电极。本发明制备的混合型薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、电流开关比高等特性，在平板显示和透明电子学等领域具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101599437A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910055286.2
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极；采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜；并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管，其制备温度低，工艺简单，有利于大面积生产，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101599437B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910055286.2
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极；采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜；并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管，其制备温度低，工艺简单，有利于大面积生产，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101567390A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052552.6
申请日：2009-06-04
Applicant: 上海广电(集团)有限公司中央研究院 , 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管的栅极、源极和漏极采用高迁移率掺杂氧化铟IMeO透明导电氧化物薄膜制作，并以透明氧化物半导体TOS为沟道层，构成TOS－IMeO全透明氧化物薄膜晶体管。所述制备方法以普通玻璃为基板，在300～350℃温度下进行磁控溅射2～30分钟，根据顶栅结构和底栅结构按各自不同的顺序形成透明氧化物半导体薄膜晶体管。所制作的薄膜晶体管具有良好的电导率、载流子迁移率以及光学透明性，本发明获得的全透明氧化物半导体薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477133C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300-350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700-2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1962509A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118921.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(ChannelSpark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101079382A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300－350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100556837C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610118921.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101101931A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710044240.1
申请日：2007-07-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/54 , C23C14/06 , H01B1/08 , H01B13/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝Mo，W)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶，在基板温度为室温的条件下采用反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有非晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、相对高的载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在柔性太阳能电池领域和近红外传感器等领域具有良好的应用前景。
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