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公开(公告)号：CN100366791C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510024613.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 复旦大学
Inventor： 施立群
Abstract: 本发明属核能技术应用领域，具体为一种金属薄膜中阈值氦能引入的方法。它是在采用真空磁控溅射沉积金属薄膜的过程中，引入氦、氩的混合气体，控制合适的氦、氩流量比，并在阴极靶材施加一合适电压，使其产生气体放电，从而得到含氦的金属薄膜。本发明方法对晶体结构无损伤，而且引入的氦分布均匀，浓度可控。本发明中，通入的混合气体中还可加入氢，实现氢、氦双引入。本发明除了可用于氚衰变模拟研究外，还可应用于离子注入氦产生多孔层方面。
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公开(公告)号：CN119506680A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411390481.1
申请日：2024-10-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于中子屏蔽材料技术领域，具体一种屏蔽中子和伽马射线的金属陶瓷屏蔽材料。本发明金属陶瓷屏蔽材料为（WxMo1‑x）AlB‑MAB固溶相相化合物，具有单斜立方晶体结构，其晶胞由MB单元与A原子面交替堆垛而成；化合物由元素W、Mo、Al或6061Al合金和B组成，Mo是W在M位的固溶原子，Mo的原子浓度x为5‑40 at％，6061Al合金中的合金元素Si、Mg原子主要在A位。该种化合相金属陶瓷屏蔽材料具备极高浓度的W与B含量，对各种能段的中子和g射线具有优异的屏蔽特性；而且该材料金属和陶瓷双重特性，即具有良好的力学特性，优越的导电、导热性能，较高的热稳定性以及高温抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN119979945A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510192972.3
申请日：2025-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种用于中子和伽马射线屏蔽的高力学性能铝基复合材料及其制备方法，以6系列铝合金作为基础合金，通过添加体积分数为9％～20％的硼化钨、或体积分数之和为9％～20％的钨和硼的混合粉末，和体积分数为1％～4％的氧化钆通过热压工艺制备而成，包括：称取各原料粉末置于不锈钢罐中，加入球磨介质和润滑剂，得到的原配料装入不锈钢罐内并置于球磨机上，真空球磨得到混合料，将混合料装入石墨模具，在真空环境或保护气氛下升温和加压，在保温保压条件下热压烧结，冷却处理至室温，得到钨硼钆铝复合材料致密烧结块。该钨硼钆铝复合材料可以同时实现良好的中子和伽马射线屏蔽，具有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN114276146A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111333146.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/65
Abstract: 本发明提供了一种高纯度的致密WAlBMAB相陶瓷块体材料制备方法，包括以下步骤：步骤1，以硼化钨粉末、铝粉为原料或以硼粉、钨粉、铝粉为原料进行配料；步骤2，向原配料加入球磨介质，以预定转速和预定时间进行湿混得到混合料；步骤3，将混合料在预定温度和一定时间下干燥，得到干燥混合料；步骤4，将干燥混合料进行预压，随后在真空环境或保护气氛下，按照预定升温速率和预定加压速率进行升温和加压，达到预定烧结温度和预定压力后，在预定烧结时间下进行烧结，得到烧结块；步骤5，将烧结块按照预定降温速率降温至室温后，得到高纯度的致密WAlB陶瓷块体材料。本发明还提供了一种高纯度的致密WAlBMAB相陶瓷块体材料，为利用本发明中的制备方法制得。
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公开(公告)号：CN101798676B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910046033.9
申请日：2009-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明属薄膜技术及应用领域。具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板，ECR等离子体放电室，柱状室和环状圆盘，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端，环状圆盘焊接在柱状室上。本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来，能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点，可对沉积和等离子体辐照分别控制，制备高质量的薄膜。与传统方法比较本发明ECR辅助下制备的钛膜表面平整，致密，光洁。同时也能降低装置成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101798676A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910046033.9
申请日：2009-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明属薄膜技术及应用领域。具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板，ECR等离子体放电室，柱状室和环状圆盘，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端，环状圆盘焊接在柱状室上。本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来，能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点，可对沉积和等离子体辐照分别控制，制备高质量的薄膜。与传统方法比较本发明ECR辅助下制备的钛膜表面平整，致密，光洁。同时也能降低装置成本。
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公开(公告)号：CN119191880A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411289952.X
申请日：2024-09-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种射线屏蔽陶瓷材料的电脉冲增韧方法，包括：将WAlB陶瓷材料两端固定在铜电极上，铜电极连接到脉冲电流发生器上，设定电脉冲参数包括：平均电流为15A，脉冲宽度为100μs，脉冲周期为2500μs，脉冲加载时间为10‑60s，按照电脉冲参数对WAlB陶瓷材料进行电脉冲处理，结束后取下。本发明利用WAlB陶瓷的良好导电性并通过陶瓷后处理，引入电脉冲技术通过控制电脉冲技术参数如电流、脉冲周期、脉冲宽度、频率之间的耦合效应实现WAlB陶瓷材料的增韧效果，解决WAlB陶瓷作为结构功能一体化射线屏蔽材料的脆性问题。
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公开(公告)号：CN106884141A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710052758.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C23C14/0635 , C23C14/0057 , C23C14/3485
Abstract: 本发明属于新材料技术制备领域，具体为Ti2AlC MAX相薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射的方式，溅射元素Ti和Al靶为固体复合靶，通过计算元素溅射率和测得的薄膜化学元素比调整固体靶的面积比，从而得到薄膜中理想的化学元素比；采用C的氢化物C2H2气体作为C元素靶来提高C元素的活性，通过控制通入的气体Ar气和C2H2气体的流量大小和比例，使薄膜中的最终元素比达到接近Ti2AlC的化学元素比。本发明通过改变基体温度，沉积时间和溅射功率等参数，可较为精确的调整制备薄膜的厚度、晶粒尺寸，从而得到厚度和晶粒尺寸可控的纯相高品质多晶薄膜。
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公开(公告)号：CN106770401A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710052608.2
申请日：2017-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/203 , G01N1/28
Abstract: 本发明属于氢氦同位素测量技术领域，具体为一种氢氦同位素核散射截面的测量方法。本发明采用磁控溅射沉积的方法制备出一种薄膜复合靶，复合靶的组成主要包含三部分：一是薄膜衬底；二是富含被测量元素的薄膜层；三是覆盖于富含被测量元素的薄膜之上的极薄的覆盖层，这层覆盖层不仅能有效阻止被测量元素在保存和测量过程中从薄膜中脱附，而且可以在测量过程中起到对入射粒子剂量标定的作用。本发明通过确定实验参数，再根据截面公式精确得出在特定角度位置一定能量范围内的微分散射截面。这种相对测量法避免了在对入射离子数Q、立体角Ω测量过程中造成的误差，使得测量精确度可以大大提高。
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公开(公告)号：CN1670242A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510024613.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 复旦大学
Inventor： 施立群
Abstract: 本发明属核能技术应用领域，具体为一种金属薄膜中阈值氦能引入的方法。它是在采用真空磁控溅射沉积金属薄膜的过程中，引入氦、氩的混合气体，控制合适的氦、氩流量比，并在阴极靶材施加一合适电压，使其产生气体放电，从而得到含氦的金属薄膜。本发明方法对晶体结构无损伤，而且引入的氦分布均匀，浓度可控。本发明中，通入的混合气体中还可加入氢，实现氢、氦双引入。本发明除了可用于氚衰变模拟研究外，还可应用于离子注入氦产生多孔层方面。
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