公开(公告)号：CN116926684A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310948734.1

申请日：2023-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宏亮 ,  宿冉冉

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  C30B29/36 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种SiC人工晶界合成方法，利用单晶碳化硅基片制备任意角度和类型SiC人工晶界的精确方法。制备过程包括以下步骤：首先对单晶SiC基片进行切割，然后对单晶SiC基片进行化学清洗，以去除可能的污染和氧化层；随后，对清洗后的单晶SiC基片进行表面氢化处理，以确保单晶SiC基片在空气中长时间保持无氧化层的状态。最后，将经过氢化处理的单晶SiC基片转移到热压炉中进行压合。本发明通过改进一系列化学清洗和高温氢化处理步骤，确保单晶SiC基片表面保持长时间的洁净状态。配合热压炉的使用，可以精确制备出任意取向的SiC人工晶界。

公开(公告)号：CN106884141A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710052758.3

申请日：2017-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宿冉冉 ,  施立群 ,  张宏亮

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/0635 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/3485

Abstract: 本发明属于新材料技术制备领域，具体为Ti2AlC MAX相薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射的方式，溅射元素Ti和Al靶为固体复合靶，通过计算元素溅射率和测得的薄膜化学元素比调整固体靶的面积比，从而得到薄膜中理想的化学元素比；采用C的氢化物C2H2气体作为C元素靶来提高C元素的活性，通过控制通入的气体Ar气和C2H2气体的流量大小和比例，使薄膜中的最终元素比达到接近Ti2AlC的化学元素比。本发明通过改变基体温度，沉积时间和溅射功率等参数，可较为精确的调整制备薄膜的厚度、晶粒尺寸，从而得到厚度和晶粒尺寸可控的纯相高品质多晶薄膜。

公开(公告)号：CN106770401A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710052608.2

申请日：2017-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宏亮 ,  施立群 ,  宿冉冉 ,  韩志斌

IPC: G01N23/203 ,  G01N1/28

Abstract: 本发明属于氢氦同位素测量技术领域，具体为一种氢氦同位素核散射截面的测量方法。本发明采用磁控溅射沉积的方法制备出一种薄膜复合靶，复合靶的组成主要包含三部分：一是薄膜衬底；二是富含被测量元素的薄膜层；三是覆盖于富含被测量元素的薄膜之上的极薄的覆盖层，这层覆盖层不仅能有效阻止被测量元素在保存和测量过程中从薄膜中脱附，而且可以在测量过程中起到对入射粒子剂量标定的作用。本发明通过确定实验参数，再根据截面公式精确得出在特定角度位置一定能量范围内的微分散射截面。这种相对测量法避免了在对入射离子数Q、立体角Ω测量过程中造成的误差，使得测量精确度可以大大提高。

公开(公告)号：CN119352016A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411472619.2

申请日：2024-10-22

Applicant: 上海交通大学 ,  复旦大学

Inventor： 宿冉冉 ,  张宏亮

IPC: C23C26/00 ,  C23C24/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种集成式超高温环境障复合涂层的实现方法，在基体表面预涂高熵合金或其硼化物层以及钼金属预涂层后，通过预氧化工艺进行硅‑硼共包埋沉积，在钼金属层内形成有序的Mo‑Si‑B多层结构；在Mo‑Si‑B多层结构上冷喷涂金属硅化物与二氧化硅构成的复合涂料，经高温热烧结形成三维网状结构的复合自愈层；在复合自愈层外冷喷涂或磁控溅射合金氧化物以构成耐水蒸气层。本发明通过集成式的涂层制备工艺，使不同组分的优势互补，可实现对多种难熔合金在宽温度范围内(室温‑1700℃)的有效保护。