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公开(公告)号：CN119212550A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411340103.2
申请日：2024-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于氧化物电极的铪基铁电存储器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上生长金属底电极；生长铪基铁电材料层；生长TiN层作为覆盖层，并进行退火，然后去除TiN覆盖层；形成氧化物顶电极；其中，通过调控氧化物电极中的氧空位含量和厚度，优化电极和铁电功能层界面特性。
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