公开(公告)号：CN117727797A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311748792.6

申请日：2023-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  刘雍凯 ,  王天宇 ,  孟佳琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法。该器件包括：Si/SiO2衬底，其中，SiO2层形成有凹槽；底电极，形成在所述SiO2层的凹槽中，其顶部高出所述SiO2层的表面；铁电栅介质层，其为HfLaO铁电薄膜，形成在所述衬底上，覆盖所述底电极；沟道层，其为ITO薄膜，形成在所述HfLaO铁电薄膜上；源电极和漏电极，形成在所述ITO薄膜两侧。该器件具有高速和低功耗的优点，有望成为新一代人工突触的有力竞争者，在未来类脑芯片中得到应用。

公开(公告)号：CN117737698A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311748793.0

申请日：2023-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  刘雍凯 ,  王天宇 ,  孟佳琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明公开一种铁电薄膜制备方法、铁电薄膜及包含其的铁电器件。该铁电薄膜制备方法，以TEMAH为铪前驱体，以La‑FMD为镧前驱体，以氧等离子体或水源为氧源，通过原子层沉积技术生长HfLaO薄膜；通过HfO2和La2O3的交替沉积周期，对La掺杂浓度以及薄膜厚度进行可控调整；通过快速热退火促进HfLaO薄膜o相的形成，激活铁电性，其中，基于La元素离子半径大和电负性低特性，使得HfLaO薄膜中的o相的比例提升，提高薄膜的剩余极化强度和耐压特性。基于HfLaO薄膜较高的剩余极化强度，在铁电隧穿结器件中可以实现更高隧穿势垒变化，表现出更高的开关比，提高铁电存储器的存储密度。

公开(公告)号：CN115275006A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210918681.4

申请日：2022-08-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  刘雍凯 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法。该基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管，包括：衬底；界面层，形成在所述衬底上；多层HZO铁电层，形成在所述界面层上，且在相邻HZO铁电层间形成有ZrO2插层；栅极，形成在所述HZO铁电层上；源极和漏极形成在所述衬底中所述栅极两侧；通过调整所述各层HZO铁电层的厚度，控制铁电畴尺寸，使之具有不同的矫顽场，当施加不同电压时使特定HZO铁电层完全极化，获得具有稳定的中间极化状态的多比特铁电场效应晶体管。