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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114230342B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202111415143.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/48 , C04B35/622 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供了一种稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质及其制备方法，涉及锂电池技术领域，所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质具有立方结构，且所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质的分子式为Li6.25+xGa0.25La3Zr2‑xMxO12，其中，M为稀土元素，且0≤x≤0.2。与现有技术比较，本发明基于固态电解质LLZO各个位点的掺杂效果，通过稀土氧化物掺杂的手段改性石榴石型Ga‑LLZO电解质以获取电导率高且质量高的LLZO固态电解质。
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公开(公告)号：CN116231053A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310273634.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/42 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Ga‑LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法，涉及锂电池技术领域，所述Ga‑LLZO固体电解质晶粒异常长大的抑制方法包括如下步骤：通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Yb2O3，得到LLYZO粉；通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Ga2O3，得到Ga‑LLZO粉；将所述LLYZO粉和所述Ga‑LLZO粉混合并球磨干燥后得到复合母粉；将所述复合母粉压力成型为片层结构，并经煅烧处理后，冷却至室温，得到晶粒细小且均匀的Ga‑LLZO固体电解质，不存在晶粒异常长大的现象。
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公开(公告)号：CN119684020A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411870625.3
申请日：2024-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅连接用钎料及其制备方法、碳化硅的连接方法，涉及焊接技术领域，本发明制得的钎料为由钇、钛、镨、硅组成的三元合金硅基钎料，该三元合金硅基钎料中的硅元素的含量较高(83％左右)，使得钎料具有较低的热膨胀系数，能够较好的与碳化硅的热膨胀系数相匹配。但是，当钎料中硅元素含量的较高时，会使得钎料的熔点较高，因而本发明进一步向钎料中引入金属钇和金属镨，从而使得钎料具有较低的熔点。另外，由于金属镨具有较高的抗氧化性能，将其引入钎料，能够显著提高钎料的抗氧化性能。综上，本发明制得的钎料具有较低的热膨胀系数、较低的熔点和较高的抗氧化性。
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公开(公告)号：CN119260095A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411430981.3
申请日：2024-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高热导金刚石/金属接头及其钎焊方法，涉及异种材料钎焊连接技术领域。高热导金刚石/金属接头的钎焊方法，包括以下步骤：激光加工金刚石表面，在金刚石表面上绘制出周期性微纳结构；在绘制有周期性微纳结构的金刚石表面涂敷钎料，按照金刚石/钎料/金属的三明治结构进行固定，进行真空钎焊，得到高热导金刚石/金属接头。激光加工过程中在金刚石烧蚀区域引入周期性微纳结构，可以实现界面的更高效的传热，导热性能提升，接头组织内均匀无缺陷，提升了接头的力学性能，解决了传统连接技术难以同时满足金刚石/金属界面的力学性能和传热性能要求的问题。
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公开(公告)号：CN114230342A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111415143.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/48 , C04B35/622 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供了一种稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质及其制备方法，涉及锂电池技术领域，所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质具有立方结构，且所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质的分子式为Li6.25+xGa0.25La3Zr2‑xMxO12，其中，M为稀土元素，且0≤x≤0.2。与现有技术比较，本发明基于固态电解质LLZO各个位点的掺杂效果，通过稀土氧化物掺杂的手段改性石榴石型Ga‑LLZO电解质以获取电导率高且质量高的LLZO固态电解质。
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