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公开(公告)号：CN110459650A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910776387.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置三结太阳电池的InGaAs有源区模拟注入离子，改变注入离子量，模拟注入离子的I-V特性，获取模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子机的电压和离子束电流，设置注入离子时间，对倒置三结太阳电池进行离子注入，通过离子注入的方式引入缺陷陷阱，对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用。用于提高倒置三结太阳电池抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN108335984B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810135795.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
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公开(公告)号：CN108335984A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135795.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
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公开(公告)号：CN110459649A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN109860033A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473787B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN110473787A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN109888025A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910219155.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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公开(公告)号：CN109888025B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910219155.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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公开(公告)号：CN109860033B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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