公开(公告)号：CN1242303C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN00122256.2

申请日：2000-06-09

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 浦野文良 ,  片野直树 ,  桐生知子

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

Abstract: 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂，可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分，该试剂包括如下通式[1]所示化合物：其中R41是氢原子或甲基，R42是氢原子、甲基、乙基或苯基，R43是含有1-6个碳原子的直链、支链或环状烷基，n是0或1。

公开(公告)号：CN1278076A

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN00122256.2

申请日：2000-06-09

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 浦野文良 ,  片野直树 ,  桐生知子

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

Abstract: 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂,可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分,该试剂包括如下通式(1)所示化合物:其中R41是氢原子或甲基,R42是氢原子、甲基、乙基或苯基,R43是含有1—6个碳原子的直链、支链或环状烷基,n是0或1。

公开(公告)号：CN1297537C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN01814742.9

申请日：2001-06-27

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 石原正巳 ,  角野元重 ,  深沢和仁 ,  片野直树 ,  今关重明

IPC: C07C321/30 ,  C07C67/30 ,  C07C53/15 ,  C08L25/18 ,  C08K5/36 ,  C08K5/41 ,  G03F7/004 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

CPC classification number: C07C53/21 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明公开了通式[1]所示化合物和该化合物与重氮二砜化合物形成的组合物：(式中，R1，R2和R3各自独立地表示芳香族烃残基，Yn-表示由具有氟原子的碳数3或以上的羧酸衍生的阴离子，n表示1或2。条件是，R1，R2和R3为在邻位和/或间位具有取代基的苯基的情况除外)。如果将该化合物或该化合物与重氮二砜形成的组合物用作抗蚀剂的酸产生剂，具有所谓改善超微细图案的外形或侧壁粗糙的效果。而且，该化合物也可以用作光阳离子性聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1449379A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN01814742.9

申请日：2001-06-27

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 石原正巳 ,  角野元重 ,  深沢和仁 ,  片野直树 ,  今关重明

IPC: C07C321/30 ,  C07C67/30 ,  C07C53/15 ,  C08L25/18 ,  C08K5/36 ,  C08K5/41 ,  G03F7/004 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

CPC classification number: C07C53/21 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明公开了通式[1]所示化合物和该化合物与重氮二砜化合物形成的组合物(式中，R1，R2和R3各自独立地表示芳香族烃残基，Yn－表示由具有氟原子的碳数3或以上的羧酸衍生的阴离子，n表示1或2。条件是，R1，R2和R3为在邻位和/或间位具有取代基的苯基的情况除外。)。如果将该化合物或该化合物与重氮二砜形成的组合物用作抗蚀剂的酸产生剂，具有所谓改善超微细图案的外形或侧壁粗糙的效果。而且，该化合物也可以用作光阳离子性聚合引发剂。