公开(公告)号：CN1242303C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN00122256.2

申请日：2000-06-09

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 浦野文良 ,  片野直树 ,  桐生知子

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

Abstract: 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂，可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分，该试剂包括如下通式[1]所示化合物：其中R41是氢原子或甲基，R42是氢原子、甲基、乙基或苯基，R43是含有1-6个碳原子的直链、支链或环状烷基，n是0或1。

公开(公告)号：CN1278076A

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN00122256.2

申请日：2000-06-09

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 浦野文良 ,  片野直树 ,  桐生知子

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

Abstract: 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂,可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分,该试剂包括如下通式(1)所示化合物:其中R41是氢原子或甲基,R42是氢原子、甲基、乙基或苯基,R43是含有1—6个碳原子的直链、支链或环状烷基,n是0或1。