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公开(公告)号：CN112347726B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010406648.4
申请日：2020-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本公开提供用于分析集成电路中电迁移的方法。此方法包括：得到集成电路的布局；根据集成电路的目前模拟结果从布局中选择一金属段；以及根据布局中位于金属段上方的导通孔的数量来判断是否对金属段放松电迁移规则。导通孔是接触于金属段。
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公开(公告)号：CN111125984A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911045847.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 在一种集成电路设计方法中，基于集成电路(IC：integrated circuit)的区域的操作条件，决定区域的温度与加热功率之间的第一关系。基于IC的区域的冷却能力，决定IC的区域的温度与冷却功率之间的第二关系。基于第一关系及第二关系，决定IC的区域是否为热稳定。回应于决定IC的区域为热不稳定，改变IC的区域的结构或操作条件中的至少一者。通过处理器执行以下中的至少一者：决定第一关系；决定第二关系；决定IC的区域的热稳定性；或改变IC的区域的结构或操作条件中的至少一者。
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公开(公告)号：CN114695259A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110879790.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。此种方法包括在第一电压域中形成第一电容器及在第一电压域中形成第二电容器。第一电容器与第二电容器并联连接。在第二电压域中形成第三电容器及第四电容器。第三电容器与第四电容器串联连接。第一电容器及第二电容器与第一电压域的供电点及第一电压域的参考点并联连接。第四电容器连接至第二电压域的供电点。第三电容器连接至第二电压域的参考点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785341A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610903215.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5077 , G06F2217/40 , G06F2217/82 , H01L23/3185 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14515 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2224/29099 , H01L2924/00 , H01L24/25 , H01L2224/1701 , H01L2224/1705 , H01L2224/25171
Abstract: 提供集成扇出型封装件及其布局方法。一种集成扇出型封装件包括芯片以及扇出型衬底。所述芯片具有位于其中的互连线结构。所述扇出型衬底具有位于其中的重分布层结构以及位于其第一表面上的多个第一导体凸块。所述第一导体凸块与所述互连线结构的互连线层和所述重分布层结构的重分布层实体接触，且所述第一导体凸块的深宽比为约1/3至1/10。
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公开(公告)号：CN109841532A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810972832.8
申请日：2018-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种制造半导体装置的方法，其包含：提供具有多个电路单元的第一电路；分析连接所述多个电路单元中的第一电路单元与第二电路单元的第一引脚单元上的负载电容以确定所述第一引脚单元的所述负载电容是否大于第一预定电容；当所述负载电容大于所述第一预定电容时，由第二引脚单元替换所述第一引脚单元以产生第二电路，其中所述第二引脚单元不同于所述第一引脚单元；和根据所述第二电路而产生所述半导体装置。
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公开(公告)号：CN107871031A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610996711.8
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265 , G06F17/5068
Abstract: 一种分析集成电路中的电迁移规则违反的方法包含：接收输入，所述输入呈电子文件格式且包含与集成电路(IC)布局相关联的信息；从输入选择IC布局的不遵守EM规则的金属线，所述不遵守电迁移(EM)规则的金属线违反EM规则；从输入获得不遵守EM规则的金属线的电流；比较所述电流与阈值电流；以及基于比较的结果确定EM规则违反是否可忽略。因此，可在确定EM规则违反为可忽略的时从IC布局制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN115206933A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210014913.3
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路和提供集成电路的方法，揭示了在集成电路中在多个导体层中用于多个导电性互连件的各种布局。一些或全部的导电性互连件被包括在电力输送系统中。通常，在第一导体层中的导电性互连件根据正交的布局而布置，并且在第二导体层中的导电性互连件根据非正交的布局而布置。位于介于第一和第二导体层之间的过渡导体层中的多个导电条将在第一导体层中的多个导电性互连件电性连接至在第二导体层中的多个导电性互连件。
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公开(公告)号：CN112347726A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010406648.4
申请日：2020-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本公开提供用于分析集成电路中电迁移的方法。此方法包括：得到集成电路的布局；根据集成电路的目前模拟结果从布局中选择一金属段；以及根据布局中位于金属段上方的导通孔的数量来判断是否对金属段放松电迁移规则。导通孔是接触于金属段。
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