公开(公告)号：CN119905457A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411512693.2

申请日：2024-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林明贤 ,  廖文晢 ,  廖堃砚 ,  张孝慷

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明的实施例提供了接触结构及其形成方法。根据本公开的接触结构包括导电部件、导电部件上方的蚀刻停止层(ESL)、ESL上方的介电层以及延伸穿过介电层和ESL以接触导电部件的接触部件。介电层包括低k介电基材和设置在低k介电基材中并且被配置为降低介电层热阻的纳米管。

公开(公告)号：CN114959843A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110191230.0

申请日：2021-02-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕泳信 ,  侯国隆 ,  林明贤

IPC: C25D17/00 ,  C25D17/08 ,  C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种后电填充模块及用于后电填充模块的校准方法。用于后电填充模块的校准方法包括：设置校正器具于晶圆固持器上方，校正器具包括支架、影像侦测器，以及第一、第二及第三激光光源。设置晶圆于晶圆固持器上，晶圆的中心对准第一激光光源放射出的第一激光标记。使第二激光光源放射出的第二激光标记对准晶圆的边缘。设置喷嘴于晶圆上方。使第三激光光源放射出的第三激光标记对准喷嘴。以影像侦测器量测第一至第二激光标记间的第一距离，以及第一至第三激光标记间的第二距离。确认第一距离减去第二距离的差值是否等同于预定值。

公开(公告)号：CN114921834A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110812624.3

申请日：2021-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯国隆 ,  林明贤

IPC: C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25D5/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种电化学电镀装置及其方法，其中用于在晶圆上执行边缘斜角清除制程的电化学电镀装置，包括单元室。单元室包括相邻于晶圆边缘的两个或多个喷嘴。流量调节器随两个或多个喷嘴中的每一个设置，其配置为调节通过两个或多个喷嘴中的每一个流出的沉积膜的孔带宽度。电化学电镀装置还包括用于控制流量调节器的控制器，以便沉积膜的孔带宽度具有预定的表面轮廓。这两个或多个喷嘴设置于晶圆上方径向或角度不同的分配位置。

公开(公告)号：CN112347726A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010406648.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林晋申 ,  林明贤 ,  罗婉瑜 ,  李孟祥

IPC: G06F30/367

Abstract: 本公开提供用于分析集成电路中电迁移的方法。此方法包括：得到集成电路的布局；根据集成电路的目前模拟结果从布局中选择一金属段；以及根据布局中位于金属段上方的导通孔的数量来判断是否对金属段放松电迁移规则。导通孔是接触于金属段。

公开(公告)号：CN109801873A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201810240196.X

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  刘佑麟 ,  林明贤 ,  骆则宏

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开了互连结构和用于形成互连结构的相应技术。示例性方法包括在介电层中形成接触开口。接触开口具有由介电层限定的侧壁和由导电部件限定的底部。对接触开口的侧壁(在一些实施方式中，以及底部)实施ALD类含氮等离子体预处理工艺。实施ALD工艺以在接触开口的侧壁和底部上方形成含钛和氮阻挡层。之后，在含钛和氮阻挡层上方形成含钴体层。ALD类含氮等离子体预处理工艺的循环包括含氮等离子体脉冲阶段和净化阶段。ALD工艺的循环包括含钛脉冲阶段、第一净化阶段、含氮等离子体脉冲阶段和第二净化阶段。本发明实施例涉及一种集成电路器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109768013A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201810178766.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  陈韦任 ,  陈彦羽 ,  林明贤

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例公开了鳍式场效应晶体管器件以及用于调整鳍式场效应晶体管器件的阈值电压的方法。示例性方法包括在第一栅极结构中形成第一开口，并且在第二栅极结构中形成第二开口。第一栅极结构设置在第一鳍结构上方，并且第二栅极结构设置在第二鳍结构上方。该方法还包括通过以下步骤填充第一开口和第二开口：形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成阈值电压调整层，回蚀第二开口中的阈值电压调整层，在阈值电压调整层上方形成功函层以及在功函层上方形成金属填充层。阈值电压调整层包括钽和氮。回蚀使用含氯化钨的前体。

公开(公告)号：CN109580023A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811135372.X

申请日：2018-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕士濂 ,  林明贤 ,  欧东尼

IPC: G01K7/16

Abstract: 经配置以监测温度的温度感测元件包括：第一传导线；第二传导线，其中第一及第二传导线具有各自不同的横剖面尺寸；感测电路，耦接至第一及第二传导线，并经配置以基于第一与第二传导线上各自存在的信号位准之间的差决定输出信号的逻辑状态；及控制电路，耦接至感测电路，并经配置以基于决定的逻辑状态，来决定监测温度是高于还是低于预定义临限温度。

公开(公告)号：CN109101845A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710778536.X

申请日：2017-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕士濂 ,  欧东尼 ,  林明贤 ,  李守忠

IPC: G06F21/72 ,  G06F21/73 ,  H04L9/32

Abstract: 一种用于装置的产生签名的方法，包含：将多个导体预充电至第一电压位准；测定每一导体的电压泄漏；以及基于被测定出的电压泄漏来产生装置签名。

公开(公告)号：CN115161613B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110372167.0

申请日：2021-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴宗晟 ,  吴昇颖 ,  林明贤

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 一种沉积室的清洁方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上；执行沉积制程，以在基板上沉积材料层；将基板移出半导体处理腔室；执行第一清洁制程，其中执行第一清洁制程包括经由基板支撑件内的第一导管提供第一气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第一气体的电浆以清洁基板支撑件的表面；以及执行第二清洁制程，其中执行第二清洁制程包括经由配置于半导体处理腔室的侧壁的第二导管提供第二气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第二气体的电浆以清洁基板支撑件的表面。

公开(公告)号：CN114763602B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202110042230.4

申请日：2021-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴宗晟 ,  吴昇颖 ,  林明贤 ,  侯国隆 ,  张见诚

IPC: C23C14/54 ,  H01L21/67

Abstract: 一种晶圆处理设备与制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包含在处理设备中形成电浆以处理晶圆。停止形成电浆。在停止形成电浆后，降低承载晶圆的支撑盘至闲置高度，使处理设备的覆盖环的开口与处理设备的遮蔽罩的对准件嵌合。覆盖环的开口具有由上往下渐宽的宽度。