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公开(公告)号:CN115821138B
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202211563967.1
申请日:2022-12-07
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掺钾的钨合金块材及其制备方法和应用,其中的掺钾的钨合金块材中钨的质量百分比≥99.95%;所述掺钾的钨合金块材的晶向(001)占比为5~15%,晶向(101)占比为60~85%,晶向(111)占比为0~15%;该掺钾的钨合金块材的再结晶温度≥1700℃、韧脆转变‑1 ‑1温度≤100℃、室温热导率≥168W·m ·K ,即该掺钾的钨合金块材同时具备优异的晶粒结构稳定性、低温韧性,且热导性能优良,可用作钨基面向等离子体材料。
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公开(公告)号:CN117701966A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311721192.0
申请日:2023-12-14
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钨合金材料及其制备方法与应用,以质量百分数计,所述钨合金材料的制备原料包括90‑93wt%的钨,0.1‑1wt%的添加剂以及余量的粘结相材料;所述添加剂包括氢化铪、氢化钛或氢化锆中的任意一种或至少两种的组合;本发明提供的钨合金材料具有1550MPa以上的室温拉伸强度,10%以上的室温断裂伸长率以及80J/cm2以上的室温冲击韧性,适用于穿甲材料。
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公开(公告)号:CN117660916A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311632948.4
申请日:2023-11-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明属于厚钨涂层生产制备的技术领域,公开了一种细晶强化的厚钨涂层及其制备方法和面对等离子体部件。本发明提供的厚钨涂层具有细小柱状晶微观组织,细小柱状晶微观组织中柱状晶平均宽度≤50μm,且该厚钨涂层是通过在化学沉积的过程中引入活化正丙胺以及采用多次化学气相沉积和退火处理交替进行的特殊处理方式制备获得的,具有优秀的导热性能和力学性能,应用前景良好。
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公开(公告)号:CN111074126A
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201911318611.X
申请日:2019-12-19
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及合金材料的制备技术领域,特别涉及一种低氧碳化物增强钨合金及其制备方法。低氧碳化物增强钨合金的制备方法包括以下步骤:将粉末A、粉末B和金属钨粉进行球磨混合,控制球料比为6:1~1:3;粉末A为铪、碳混合物或碳化铪粉末,粉末B为碳粉或碳纳米管;将混合粉末装入模具中进行冷等静压压制成形,再置于氢气气氛的中频炉中烧结,控制冷等静压压力、烧结最高温度、保压时间和保温时间等工艺参数;对烧结后的样品进行压力加工和热处理,即得到低氧碳化物增强钨合金。本发明提供的低氧碳化物增强钨合金的制备方法,通过整体工艺的控制,大大提高了增强钨合金的强化效果,扩宽了钨合金材料的使用领域,具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号:CN119480577A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411542717.9
申请日:2024-10-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01J9/04 , B22F3/14 , C22C27/04 , C22C1/05 , C22C1/059 , B22F3/00 , B22F1/12 , B22F3/23 , C22C32/00 , H01J1/148 , H01J61/06
Abstract: 本发明涉及照明技术领域,具体涉及一种近净成型六硼化镧掺杂钨阴极及其制备方法和应用。本发明提供一种近净成型六硼化镧掺杂钨阴极的制备方法,包括如下步骤:将钨粉和六硼化镧粉混合得到混合料,将混合料置于内壁涂有碳粉层的模具中,在第一温度下进行第一热压烧结,升温至第二温度进行第二热压烧结,得到所述近净成型六硼化镧掺杂钨阴极;其中,第一温度为1500‑2000℃;第二温度为2200‑2400℃。综上,本发明实现了六硼化镧掺杂钨阴极一次成型,开发了一种高效的、低成本的六硼化镧掺杂钨基阴极材料的制备方法,同时在六硼化镧掺杂钨阴极表面形成疏松片层状的碳化二钨层,有效提高材料的电子发射性能。
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公开(公告)号:CN115404419A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211144036.8
申请日:2022-09-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C22C47/14 , C22C47/06 , C22C47/04 , C23C16/14 , C22C49/10 , C22C49/14 , B22F9/22 , C22C111/02 , C22C121/02
Abstract: 本发明提供了一种钨丝增强钨基复合材料的制备方法,包括以下步骤:A)将三维钨丝编织体进行化学气相沉积,得到复合有钨涂层的三维钨丝编织体;B)将步骤A)得到的三维钨丝编织体于钨粉浆料中浸渍,再依次进行烘干和预烧,得到填充有钨材料的三维钨丝编织体,重复该步骤多次;C)将步骤B)得到的填充有钨材料的三维钨丝编织体于钨酸盐浸渍液中浸渍,再依次进行煅烧、还原和预烧,得到预烧结体,重复该步骤多次;D)将步骤C)得到的预烧结体依次进行烧结和压力加工,得到钨丝增强钨基复合材料。本申请提供的方法制备的钨丝增强钨基复合材料具有优异的室温三维强度与室温三维韧性。
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公开(公告)号:CN119092169A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411198236.0
申请日:2024-08-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: G21F1/08 , G21B1/13 , C22C27/04 , B22F1/12 , B22F3/10 , B22F3/18 , B22F3/17 , B22F3/24 , B22F3/04
Abstract: 本发明公开了钨基合金材质的屏蔽件、制备方法及应用,所述钨基合金包括钨基体和分散在钨基体中的六硼化镧,所述钨基合金中硼元素的含量为0.01wt%‑0.5wt%。本发明中的钨基合金中引入六硼化镧,有利于钨基合金中钨晶粒的细化,增强钨基合金的韧性,降低韧脆转变温度,提高其对中子辐照的吸收能力;同时,六硼化镧的引入不仅不会降低钨基体的导热性能,反而有助于材料导热性能的提升,这些都有利于提高屏蔽件的使用寿命。
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公开(公告)号:CN118639072A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410683037.2
申请日:2024-05-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C22C27/04 , G21F1/08 , C22C1/059 , C22C32/00 , B22F1/17 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及含钆高比重钨合金屏蔽材料及其制备方法与应用,所述含钆高比重钨合金屏蔽材料的制备原料包括钆源;所述钆源包括氧化钆和/或表面改性氧化钆。作为中子吸收材料添加剂时,氧化钆具有比金属硼化物更高的硼当量,即达到同样中子屏蔽效果时屏蔽材料中所需氧化钆的添加量显著低于金属硼化物,可以显著降低对屏蔽材料力学性能带来的不利影响;从另一个角度说明在具有同样力学性能时,允许的氧化钆的添加量显著高于金属硼化物。因此,屏蔽材料可实现对γ射线和中子的复合屏蔽效果,同时该屏蔽材料的微观组织与传统高比重钨合金材料类似,不产生不利的新物相,具有良好的力学性能,室温极限抗拉强度≥950MPa,室温断后伸长率≥15%。
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公开(公告)号:CN115404419B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202211144036.8
申请日:2022-09-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C22C47/14 , C22C47/06 , C22C47/04 , C23C16/14 , C22C49/10 , C22C49/14 , B22F9/22 , C22C111/02 , C22C121/02
Abstract: 本发明提供了一种钨丝增强钨基复合材料的制备方法,包括以下步骤:A)将三维钨丝编织体进行化学气相沉积,得到复合有钨涂层的三维钨丝编织体;B)将步骤A)得到的三维钨丝编织体于钨粉浆料中浸渍,再依次进行烘干和预烧,得到填充有钨材料的三维钨丝编织体,重复该步骤多次;C)将步骤B)得到的填充有钨材料的三维钨丝编织体于钨酸盐浸渍液中浸渍,再依次进行煅烧、还原和预烧,得到预烧结体,重复该步骤多次;D)将步骤C)得到的预烧结体依次进行烧结和压力加工,得到钨丝增强钨基复合材料。本申请提供的方法制备的钨丝增强钨基复合材料具有优异的室温三维强度与室温三维韧性。
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公开(公告)号:CN115821138A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202211563967.1
申请日:2022-12-07
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掺钾的钨合金块材及其制备方法和应用,其中的掺钾的钨合金块材中钨的质量百分比≥99.95%;所述掺钾的钨合金块材的晶向(001)占比为5~15%,晶向(101)占比为60~85%,晶向(111)占比为0~15%;该掺钾的钨合金块材的再结晶温度≥1700℃、韧脆转变温度≤100℃、室温热导率≥168W·m‑1·K‑1,即该掺钾的钨合金块材同时具备优异的晶粒结构稳定性、低温韧性,且热导性能优良,可用作钨基面向等离子体材料。
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