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公开(公告)号：CN105047778B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510488363.9
申请日：2015-08-11
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，通过先去除倒装发光二极管的蓝宝石衬底，再黏附于保护膜上，藉由溅镀技术在倒装发光二极管的微结构之上形成一Al2O3薄层，制得超薄LED芯片，从而大大降低热阻，并可降低整体LED封装体大小及封装成本；此外，薄膜发光二极管可实现无金线互联，提高封装可靠性，降低封装成本；再者，由于去除了较厚的蓝宝石衬底，减少了光线在蓝宝石衬底内的损失，更加有利于光提取率。
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公开(公告)号：CN105679888B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610081608.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/00 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片的制作方法，提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN101976715A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010298429.5
申请日：2010-10-05
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开的倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片；在窗口层上形成P电极；在P电极上覆盖一层粘合用胶，在粘合用胶上粘合一过渡基板；去除临时基板并将晶片倒置；采用激光划裂在晶片上形成切割道，切割道使晶片的每个侧面呈倾斜状；在切割道填充光刻胶，使光刻胶与晶片表面齐平；在光刻胶与晶片表面形成N电极；在N电极上形成永久基板；去除过渡基板及粘合用胶，并将晶片再次倒置；去除光刻胶并对晶片的底面进行切割，形成完整的单颗倒梯形LED芯粒。由于倾斜的侧面使得每一个出光面的可出光角度范围扩大，出光面积增加，可大大提升LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN101944566A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010294028.2
申请日：2010-09-28
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有透明增光键合层的四元发光二极管及其制作工艺，包括在发光二极管芯片的制程中，通过引入键合工艺，对透明增光键合层掺入颗粒状透明物质后，使得LED芯片内发出的光线射向透明增光键合层中颗粒状透明物质后发生了光路径的改变，从而增加光取出的概率，提高发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336829B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN105185744B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510335626.2
申请日：2015-06-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L33/00 , B23K26/36
Abstract: 本发明提供氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，通过在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，增加激光能量，调整激光频率，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，有效地排出激光隐形切割后留下的烧痕、碎屑等副产物，减少副产物的光吸收，增加发光二极管的侧壁出光，提升出光效率；此外，由于衬底与孔洞折射率不同，同时激光划痕类似将LED芯片侧面粗化，增大了光取出的角度，从而达到增加轴向光的目的，如此提高了LED芯片的整体发光效率。
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公开(公告)号：CN103996773B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN103996773A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/0075 , H01L33/24
Abstract: 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN101976715B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010298429.5
申请日：2010-10-05
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开的倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片；在窗口层上形成P电极；在P电极上覆盖一层粘合用胶，在粘合用胶上粘合一过渡基板；去除临时基板并将晶片倒置；采用激光划裂在晶片上形成切割道，切割道使晶片的每个侧面呈倾斜状；在切割道填充光刻胶，使光刻胶与晶片表面齐平；在光刻胶与晶片表面形成N电极；在N电极上形成永久基板；去除过渡基板及粘合用胶，并将晶片再次倒置；去除光刻胶并对晶片的底面进行切割，形成完整的单颗倒梯形LED芯粒。由于倾斜的侧面使得每一个出光面的可出光角度范围扩大，出光面积增加，可大大提升LED的出光效率。
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