公开(公告)号：CN102420279A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110343101.5

申请日：2011-11-03

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 欧毅德 ,  尹灵峰 ,  刘传桂 ,  林素慧

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制作方法。本发明设计了双层透明导电层结构，第一层透明扩展层形成于p型半导体层上，P电极设置在外延结构层的中心区域，在p电极的四周设计了孔洞结构，孔洞结构里形成第二透明扩展层，并与n电极连接，形成一个等势面。电流从p电极注入后，通过第一透明扩展层向整个发光面扩散并由p型半导体层流向n型层，由于第二透明扩展层与n电极处于同一电势，电流向第二透明扩展层扩散，最后到达n电极。本发明保证了电流从p电极流向n电极的过程中都是均匀分布在外延发光层的，且P层的电流经过路径更短，同时改变了部分出光面的结构，从而有效地提高了发光效率。

公开(公告)号：CN101944566A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010294028.2

申请日：2010-09-28

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 尹灵峰 ,  林素慧 ,  欧毅德 ,  蔡家豪 ,  林潇雄 ,  郑建森

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明公开一种具有透明增光键合层的四元发光二极管及其制作工艺，包括在发光二极管芯片的制程中，通过引入键合工艺，对透明增光键合层掺入颗粒状透明物质后，使得LED芯片内发出的光线射向透明增光键合层中颗粒状透明物质后发生了光路径的改变，从而增加光取出的概率，提高发光效率。