公开(公告)号：CN108183169A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711453211.0

申请日：2017-12-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  黄伟 ,  朱世杰 ,  李跃龙 ,  魏长春 ,  丁毅 ,  任慧志 ,  黄茜 ,  侯国付 ,  陈新亮 ,  王广才 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN106449780A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610857001.7

申请日：2016-09-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王奉友 ,  赵善真 ,  任千尚 ,  杜荣池 ,  魏长春 ,  陈新亮 ,  赵颖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明提供了一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法，该方法在沉积有双面钝化层I的衬底S的一面沉积金属氧化物电子选择层ESL，而后于ESL的相对面上在较低的反应前驱物能量的情况下沉积高功函数的金属氧化物空穴选择层HSL，与低功函数的硅衬底形成了界面反型层，产生空穴选择的效果，而后在HSL层上沉积透明电极T，最后于电池正、反两面分别沉积金属电极M1和M2。该结构所采用的高功函数的HSL层兼具高透过、低吸收较的特性，可有效提升电池的光谱相应，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN103413869A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310294317.6

申请日：2013-07-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  赵慧旭 ,  杨旭 ,  倪牮 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  张建军 ,  耿新华

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/076

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种绒面结构ZnO-TCO薄膜的制备方法及其应用，绒面结构ZnO-TCO薄膜的结构特征为玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B/超薄ITO薄膜/高导电透明ZnO:B薄膜，制备步骤是：1）利用MOCVD技术在玻璃衬底上生长绒面结构低含量硼掺杂ZnO透明导电薄膜；2）利用热蒸发技术生长超薄Sn掺杂In2O3薄膜；3）在该薄膜上生长小晶粒尺寸的高导电和高透明ZnO:B薄膜。本发明的优点：MOCVD技术获得的ZnO薄膜，在较低B掺杂情况下可降低自由子流子浓度，提高薄膜电子迁移率；热蒸发技术生长超薄ITO薄膜，促进ZnO薄膜的生长取向，促进晶化；用于pin型Si基叠层薄膜太阳电池，可实现较高光电转化效率。

公开(公告)号：CN102903767A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210436043.5

申请日：2012-11-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 倪牮 ,  马峻 ,  张建军 ,  侯国付 ,  陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料；该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：该材料光学带隙可达2.0~3.7eV，电导率可达0.1~5.0S/cm；该材料用于硅基薄膜太阳电池，可显著提高电池的开路电压，降低窗口层的光吸收损失，提高电池的短波响应和短路电流密度，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN102176471B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110058727.1

申请日：2011-03-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  王斐 ,  闫聪博 ,  张德坤 ,  孙建 ,  魏长春 ,  张建军 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜；该复合薄膜可应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的HGZO薄膜，降低了对太阳光谱中近红外区域的吸收。

公开(公告)号：CN102637751A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210149194.2

申请日：2012-05-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  王延峰 ,  黄茜 ,  陈新亮 ,  魏长春

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控，实现具有宽光谱陷光的ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有大“弹坑状”的陷光绒面层；随后在陷光绒面层上采用MOCVD沉积技术再沉积一层兼有小“类金字塔”绒度的ZnO薄膜；最后形成具有宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。

公开(公告)号：CN102418080A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110371527.1

申请日：2011-11-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  闫聪博 ,  魏长春 ,  张德坤 ,  耿新华

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L31/0224

Abstract: 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜的制备方法，以二乙基锌和水为源材料，以硼烷B2H6为掺杂气体，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，分两步进行：1）在玻璃衬底上生长一层大晶粒尺寸的“类金字塔”状结构ZnO薄膜；2）在上述ZnO薄膜生长一层小晶粒尺寸的“圆球”状结构ZnO薄膜；该玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜用于pin型“微晶硅”薄膜太阳电池或“非晶硅/微晶硅”叠层薄膜太阳电池。本发明的优点是：该制备方法工艺简单，便于大面积生产推广；通过工艺技术兼容的两步法生长技术，有利于实现可见光及近红外区域光散射和后续硅基薄膜沉积，可有效提高太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102199759A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110132760.4

申请日：2011-05-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  王斐 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  黄茜 ,  张建军 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L31/0224

Abstract: 一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，以玻璃衬底为基片，以ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3作为靶材原料，溅射气体为Ar气，溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化，利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO-TCO薄膜。本发明的优点是：相比于正常氢气流量下利用磁控溅射镀膜技术获得的绒面结构ZnO-TCO薄膜，利用梯度氢气流量法生长的绒面结构ZnO-TCO薄膜具有较好的透过率和较好的电学特性，且薄膜的绒面结构取得明显改善；该薄膜应用于微晶硅薄膜电池或非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池，可提高光散射作用，增加入射光程，有效降低有源层厚度，提高Si基薄膜太阳电池的效率和稳定性。

公开(公告)号：CN101572279B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910069202.0

申请日：2009-06-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  薛俊明 ,  张建军 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种磁控溅射技术生长新型高迁移率绒面结构IMO/ZnO透明导电薄膜及太阳电池应用的方法。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长高迁移率IMO(即Mo掺杂In2O3)透明导电薄膜，薄膜厚度50-150nm；其次，利用溅射技术生长Al或者Ga低掺杂ZnO薄膜，薄膜厚度500-1200nm，而后借助湿法刻蚀技术创造出绒面结构特征。新型复合TCO薄膜的结构特征是玻璃/高迁移率IMO薄膜/绒面结构ZnO。典型薄膜电阻率～2-8×10-4Ωcm，方块电阻～5-15Ω，载流子浓度～3-10×1020Ωcm，电子迁移率～30-90cm2V-1s-1，可见光和近红外区域平均透过率～80％。高迁移率绒面结构IMO/ZnO薄膜提高了近红外区域光谱透过(λ＝800-1500nm)，并增强了对入射光的散射，可应用于pin型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN1945858A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610016251.4

申请日：2006-10-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 耿新华 ,  陈新亮 ,  薛俊明 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种MOCVD技术超低温制备高电导率、绒面未掺杂ZnO薄膜的方法。首先利用电子束蒸发技术或者溅射方法在玻璃衬底上沉积一层50－100nm高电导的ITO薄膜作为种子诱导层，其通常具有很好的电导率(～10－4Ωcm)；然后利用MOCVD技术低温生长未掺杂的ZnO薄膜。该方法在很低的温度下即可制备具有良好光散射能力的绒面结构ZnO薄膜；其次在不需要B2H6掺杂的情况下，可大幅度降低MOCVD系统生长ZnO薄膜的电阻率(可降至～10－3Ωcm)。通过后续H2低压退火可使薄膜的电子迁移率从～18.6cm2/Vs提高到～32.5cm2/Vs(提高～30％)。该方法特别适合大面积ZnO薄膜的制备。