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公开(公告)号：CN102199746A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110119447.7
申请日：2011-05-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化物薄膜材料，调节蒸发源温度可以得到不同掺杂浓度的P型和N型锑化物材料；通过使用不同衬底和蒸发源得到锑化物的同质结或异质结P-N结构。
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