硅基液晶显示芯片的像素单元存储电容器

    公开(公告)号:CN2802729Y

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200420029969.3

    申请日:2004-10-19

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种存储电容器,特别是用于集成电路中LCOS芯片像素单元的存储电容器,属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域。它是NMOS型结构,包括二氧化硅绝缘层、P型硅衬底层、A点、B点、单层多晶硅,第1层多晶硅、栅氧化层,n型反型层、n+接触区等,省去了1层多晶硅;对每个单元像素中需要配置高密度存贮电容,利用栅氧化层具备较高单位电容值的优势,采用并接NMOS源漏电极到地,从而形成高密度存贮电容,如此可以采用标准单层多晶硅CMOS器件工艺实现LCOS芯片生产,这样不但可减少至少两块光刻掩膜版,而且也能减少多个步骤的制作过程,对增加产量及减少成本,具有明显的经济效益。

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