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公开(公告)号：CN110611001A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910906720.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种磷酸盐制备太阳电池的方法，包括以下步骤：在衬底上制备Mo金属电极；将Mo金属电极在浓度为5mmol/L的磷酸盐溶液中进行浸泡，然后以500℃～600℃退火30min，获得P掺杂的Mo电极；在P掺杂的Mo电极上形成金属预制层；对金属预制层进行后硒化处理或后硫化处理形成吸收层；在吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明利用磷酸盐溶液对金属Mo电极进行浸泡并在500℃～600℃退火处理，有效提高了薄膜太阳电池的短路电流、开路电压和器件效率。
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公开(公告)号：CN107331615A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710511722.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324
Abstract: 一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法。表面处理是指在含S、Se、O、H等气氛中对半导体薄膜表面进行硫化、硒化、钝化或元素掺杂的过程。目的是提高半导体薄膜表面带隙，消除半导体薄膜表面悬挂键，钝化半导体薄膜表面缺陷，提高半导体薄膜导电能力。本发明提供的脉冲式快速热处理方法是在较低衬底温度下，采用高温或超高温度热处理半导体薄膜表面，处理温度500℃～1000℃，热处理时间60s以内。瞬间高温或超高温热处理可促进半导体薄膜表面化学反应发生，脉冲式快速热处理以及低衬底温度可实现半导体薄膜表面100nm厚度内的处理。
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公开(公告)号：CN102051603A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010518539.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。
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公开(公告)号：CN111244197B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010062654.2
申请日：2020-01-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法，该铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法，包括：在衬底上制备Mo金属电极；使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极，获得铜基薄膜太阳电池正电极。本发明中使用磷酸铵溶液处理Mo金属电极，NH4+在Mo金属电极表面进行刻蚀，减少了界面缺陷态。正电极与光吸收层之间的接触更加匹配。同时PO43‑调整金属Mo的功函数，使其与光吸收层的能带匹配。经过处理，电池短路电流密度得到大幅提升，因此使效率获得提升。磷酸铵溶液处理Mo金属电极工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN101805915A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010150362.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种电镀金属Ga和Ga合金的溶液体系，由金属盐、导电盐、络合剂、有机酸、有机添加剂和溶剂水组成，各组份在溶液体系中的含量为：金属盐(0.05～0.5)mol/L、导电盐(1.0～4.0)mol/L、络合剂(0.1～0.8)mol/L、有机酸(0.5～3.0)mol/L、有机添加剂(4～20)g/L；该溶液体系用饱和浓度的碱性溶液调节pH值为1～6的范围内。本发明的优点是：该溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力、使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成份可通过控制沉积条件任意改变；且制备方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110611002B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910907568.4
申请日：2019-09-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种具有P掺杂的Mo电极的太阳电池制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备Mo金属电极；将所述Mo金属电极在浓度级别为mmol/L的磷酸根溶液中进行浸泡，然后以550℃退火30min，获得P掺杂的Mo电极；在所述P掺杂的Mo电极上形成金属预制层；对所述金属预制层进行后硒化处理或后硫化处理形成吸收层；在所述吸收层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。
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公开(公告)号：CN109671803B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811333138.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成背电极；在背电极上形成金属预制层，将金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干，将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；形成缓冲层；形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明通过采用NaF溶液对金属预制层进行处理，使得薄膜太阳能电池的开路电压显著提高，器件效率得到了明显的提升。另外，本发明成本低廉，有利于商业化推广和应用。
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公开(公告)号：CN111244197A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010062654.2
申请日：2020-01-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法，该铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法，包括：在衬底上制备Mo金属电极；使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极，获得铜基薄膜太阳电池正电极。本发明中使用磷酸铵溶液处理Mo金属电极，NH4+在Mo金属电极表面进行刻蚀，减少了界面缺陷态。正电极与光吸收层之间的接触更加匹配。同时PO43-调整金属Mo的功函数，使其与光吸收层的能带匹配。经过处理，电池短路电流密度得到大幅提升，因此使效率获得提升。磷酸铵溶液处理Mo金属电极工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN107507874A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710664869.X
申请日：2017-08-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , C25D5/18 , C25D3/54
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022425 , C25D3/54 , C25D5/18 , H01L31/03923
Abstract: 一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl3或In2(SO4)3水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流密度、脉冲频率和占空比控制金属形核和生长过程，降低晶核尺寸，形成平整致密薄膜。
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公开(公告)号：CN102290484A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110106517.5
申请日：2011-04-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法，涉及太阳电池领域的半导体薄膜制备技术。所述的溶液体系，由金属盐、导电盐、有机酸、无机酸和溶剂水组成，各组分在溶液体系的含量为：金属盐0.1～0.5mol/L、导电盐l～4mol/L、有机酸0.5～3mol/L、无机酸0.01～0.1mol/L，用饱和碱性溶液调节pH值到1～6.0。本发明的优点：溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力，使用寿命长，制备方法简单，投资设备小，适合大规模工业化生产，并且使用这种掺杂方法不仅可以使CIGS薄膜晶粒尺寸长大，而且可以有效的使不含Ga的CIS薄膜晶粒尺寸长大。适用于CuInS2、InGaAs等半导体材料。
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