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公开(公告)号：CN114005938A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110659295.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，该存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。通过旋涂溶液法将不同组分的芴酮类聚合物驻极体制备成电荷俘获层薄膜，基于此电荷俘获层的OFET存储器不仅可以在光电的调控下实现双向的电荷存储，还可以实现ms级别的快速响应及良好的双向耐受性，并且整个操作工艺简单、成本低廉，该方法是一种改善聚合物存储行为的有效且通用的方法，制备的非易失性OFET存储器可应用在柔性及穿戴电子设备中，有利于未来存储器件的进一步发展推广与生产。
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公开(公告)号：CN111848698A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010716229.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法，所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构，具有较明显分离的LUMO和HOMO能级，结构式如下： 本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114891022B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H10K85/60 , H10K10/46 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电本发明公开了一种有机纳米格子分子材料， 化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链
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公开(公告)号：CN111848698B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010716229.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法，所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构，具有较明显分离的LUMO和HOMO能级，结构式如下：本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN114891022A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H01L51/30 , H01L51/05 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种有机纳米格子分子材料，其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链；X原子为C或N；Y原子为O,S或Se；G为芳香基团或者非芳香基团。本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。
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公开(公告)号：CN111875616B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010716236.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/10 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及制备方法，芴螺环衍生物的结构通式为：本发明将芴螺环衍生物作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN111875616A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010716236.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/10 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及制备方法，芴螺环衍生物的结构通式为：本发明将芴螺环衍生物作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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