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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108257645B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810154805.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1，能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障，同时，通过在低电压SRAM内注入稳定性故障，通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM，可以避免对内部低电压SRAM造成干扰，并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻，以达到提高检测灵敏性的目的，测试方法，精确度高，设计巧妙，具有良好的前景。
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公开(公告)号：CN108257645A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810154805.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1，能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障，同时，通过在低电压SRAM内注入稳定性故障，通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM，可以避免对内部低电压SRAM造成干扰，并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻，以达到提高检测灵敏性的目的，测试方法，精确度高，设计巧妙，具有良好的前景。
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公开(公告)号：CN110648715B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910953586.6
申请日：2019-10-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，设计出写半选择故障测试元素：{⇕W0⇕W1column0⇕R1column0⇕R0column0'⇕W0⇕W1column1⇕R1column1⇕R0column0'}，其中{W1column0}和{W1column1}利用自定义行读写方式，即一种对指定范围的行地址进行有序的读写操作方式，将数据背景写入列地址相同、行地址顺序增加的存储单元，激活敏化出故障，随后进行读操作，将读出数据与期望数据比较，不一致则判断检测出故障。该方法能够弥补传统算法无法覆盖写半选择故障的问题，实现指定故障模型的覆盖，且有效地降低了测试成本。
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公开(公告)号：CN110648715A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910953586.6
申请日：2019-10-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，设计出写半选择故障测试元素：{⇕W0⇕W1column0⇕R1column0⇕R0column0'⇕W0⇕W1column1⇕R1column1⇕R0column0'}，其中{W1column0}和{W1column1}利用自定义行读写方式，即一种对指定范围的行地址进行有序的读写操作方式，将数据背景写入列地址相同、行地址顺序增加的存储单元，激活敏化出故障，随后进行读操作，将读出数据与期望数据比较，不一致则判断检测出故障。该方法能够弥补传统算法无法覆盖写半选择故障的问题，实现指定故障模型的覆盖，且有效地降低了测试成本。
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公开(公告)号：CN111243657A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010138469.7
申请日：2020-03-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种有效的存储器电路随机故障注入方法，所述方法步骤如下：步骤一：利用Perl语言提取出所有可能出现故障的节点，修改所有故障节点名称，生成一个新的文件；步骤二：随机选取节点文件中的一个或多个故障节点，并在节点处插入阻值随机电阻；步骤三：插入电阻后生成一个新的已完成随机故障注入的存储器网表文件。通过上述方法可以生成出故障注入后的网表，实现随机故障注入。本发明提供的随机故障注入方法，其特点在于故障注入电路节点位置随机，故障注入数量随机，并且注入电阻阻值随机，是一种切实可行的方法，可以有效验证测试算法的故障覆盖率。
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