-
公开(公告)号：CN110224028B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910410173.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出了一种具有L型介质层低EMI的VDMOS器件，包括VDMOS原胞结构，所述VDMOS原胞结构包括漏端金属电极和源极金属电极，所述VDMOS原胞结构两侧设置有RC吸收电路，所述RC吸收电路包括串联的电阻和电容，所述RC吸收电路的一端与所述源极金属电极耦合，另一端与所述漏端金属电极耦合。本发明在保证VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效降低了VDMOS器件的开关损耗和电磁干扰，提高所应用的电路集成度。
-
公开(公告)号：CN114125787B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210084342.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了D2D通信速率对称的接入与功率优化方法和系统，获取基站信号覆盖范围内各蜂窝用户到基站、各蜂窝用户到第一设备、各蜂窝用户到第二设备、基站到第一设备、基站到第二设备、以及第一设备和第二设备间的信道状态信息；根据获取的信道状态信息确定第一设备到第二设备的传输速率，以及第二设备到第一设备的传输速率；以传输和速率最大为优化目标，建立接入与功率优化问题模型；求解所述接入与功率优化问题模型，获得第一设备和第二设备的最优发送功率，以及第一设备和第二设备之间进行D2D通信选择接入的蜂窝用户。本发明解决频谱稀缺与和速率优化问题，以最大化全双工D2D通信和速率为目标，联合优化频谱选择与设备的发送功率。
-
公开(公告)号：CN112637066A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011481778.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 南瑞集团有限公司 , 南京邮电大学 , 国电南瑞科技股份有限公司
IPC: H04L12/727 , H04L12/733 , H04L12/24
Abstract: 本发明公开了一种面向电力物联网的网络切片与路径选择优化方法与系统，适用于5G网络切片场景下，发送终端与接收终端之间的数据传输。发送终端的数据，经过若干基站中交换机的转发到达接收终端。针对电力物联网业务需求，分配带宽资源，构建面向业务的网络切片。在此基础上，SDN控制器以基站之间的传输时延为权值，采用Dijskra算法，选择最优的信息传输路径。本发明以减少传输时延为目标，通过网络切片和路径选择优化，减少发送方和接收方的端到端传输时延。
-
公开(公告)号：CN111205330A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010039481.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一类双磷光发射探针及其制备方法，利用二(2-吡啶甲基)胺结构对金属离子的响应以及双磷光发射铱配合物对氧气的响应，构建了一类既能检测氧气又能检测金属离子的双发射探针。相对于现有技术中公开的单磷光发射铱配合物探针而言，本发明为单个探针对多个检测目标的同时检测提供了新的思路；且本发明公开的双磷光发射铱配合物的制备过程简单，反应条件温和，可操作性强。
-
公开(公告)号：CN110224028A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910410173.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出了一种具有L型介质层低EMI的VDMOS器件，包括VDMOS原胞结构，所述VDMOS原胞结构包括漏端金属电极和源极金属电极，所述VDMOS原胞结构两侧设置有RC吸收电路，所述RC吸收电路包括串联的电阻和电容，所述RC吸收电路的一端与所述源极金属电极耦合，另一端与所述漏端金属电极耦合。本发明在保证VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效降低了VDMOS器件的开关损耗和电磁干扰，提高所应用的电路集成度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111205330B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010039481.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一类双磷光发射探针及其制备方法，利用二(2‑吡啶甲基)胺结构对金属离子的响应以及双磷光发射铱配合物对氧气的响应，构建了一类既能检测氧气又能检测金属离子的双发射探针。相对于现有技术中公开的单磷光发射铱配合物探针而言，本发明为单个探针对多个检测目标的同时检测提供了新的思路；且本发明公开的双磷光发射铱配合物的制备过程简单，反应条件温和，可操作性强。
-
公开(公告)号：CN114125787A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210084342.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了D2D通信速率对称的接入与功率优化方法和系统，获取基站信号覆盖范围内各蜂窝用户到基站、各蜂窝用户到第一设备、各蜂窝用户到第二设备、基站到第一设备、基站到第二设备、以及第一设备和第二设备间的信道状态信息；根据获取的信道状态信息确定第一设备到第二设备的传输速率，以及第二设备到第一设备的传输速率；以传输和速率最大为优化目标，建立接入与功率优化问题模型；求解所述接入与功率优化问题模型，获得第一设备和第二设备的最优发送功率，以及第一设备和第二设备之间进行D2D通信选择接入的蜂窝用户。本发明解决频谱稀缺与和速率优化问题，以最大化全双工D2D通信和速率为目标，联合优化频谱选择与设备的发送功率。
-
公开(公告)号：CN112994870B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110548816.8
申请日：2021-05-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种面向全双工D2D通信的电力设备发送功率优化方法，该方法应用于电力设备间采用D2D技术同时向对方传输数据的场景。本发明考虑电力设备D1和D2间的低通信时延要求、D2D通信对蜂窝用户通信的干扰限制、及电力设备D1和D2的发射功率限制，以电力设备D1和D2间双向通信时延差最小化为目标，求解目标获得电力设备D1和D2最优的发送功率，本发明最小化电力设备间进行全双工D2D通信的时延差，显著提高了全双工D2D信息交互模式下的时延对称性。
-
公开(公告)号：CN110265391B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910488660.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明揭示了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，ESD防护器件包括硅衬底，在硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的左上方为漏极区，右上方为源极区；漂移区内中间引入浮空N+电荷区，在N‑buffer区中为漏极重掺杂P+区；在P‑body区中为源极重掺杂N+区，重掺杂P+区。本发明可解决现有技术中普遍存在的触发电压过高、维持电压过低、抗闩锁能力不足的技术问题，设计了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，由于浮空重掺杂N+电荷区的存在，触发时器件击穿结P‑body/N‑epi结冶金结处电场分布得到调制，更易发生雪崩击穿，因此降低了触发电压。
-
公开(公告)号：CN110265391A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910488660.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明揭示了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，ESD防护器件包括硅衬底，在硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的左上方为漏极区，右上方为源极区；漂移区内中间引入浮空N+电荷区，在N-buffer区中为漏极重掺杂P+区；在P-body区中为源极重掺杂N+区，重掺杂P+区。本发明可解决现有技术中普遍存在的触发电压过高、维持电压过低、抗闩锁能力不足的技术问题，设计了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，由于浮空重掺杂N+电荷区的存在，触发时器件击穿结P-body/N-epi结冶金结处电场分布得到调制，更易发生雪崩击穿，因此降低了触发电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.019 seconds)
