公开(公告)号：CN110379866A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910568118.7

申请日：2019-06-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 富容国 ,  张嘎 ,  何苗 ,  宁传旺 ,  陈浩 ,  周岗 ,  钱芸生 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  张益军 ,  邱亚峰

IPC: H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p-n结太阳能电池较高的能量转换。

公开(公告)号：CN110379866B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201910568118.7

申请日：2019-06-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 富容国 ,  张嘎 ,  何苗 ,  宁传旺 ,  陈浩 ,  周岗 ,  钱芸生 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  张益军 ,  邱亚峰

IPC: H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。

公开(公告)号：CN112581876A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011450678.1

申请日：2020-12-12

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 富容国 ,  宁传旺

IPC: G09F9/33 ,  G09G3/32 ,  F16M11/08 ,  F16M11/10 ,  F16M11/12 ,  F16M11/18 ,  F16M11/42

Abstract: 本发明公开了一种基于LED显示屏的光学目标模拟系统，包括依次连接的计算机控制系统、现场控制系统、图像或视频显示控制装置和LED显示屏。本发明能够根据LED显示屏像素分辨率模拟得到显示屏尺寸大小，按照USAF1951靶面图案或实景目标图像制作得到LED显示屏的第一显示内容，将制作得到的第一显示内容经由现场控制系统发送至图像或视频显示控制装置，从而方便、快速的改变显示内容，并可以进行模拟目标的动态显示及亮度调节，解决了传统靶纸需频繁更换、反复调教和内容单一的问题；另外，通过将LED显示屏固定在运动装置机构上，实现水平、俯仰方向自由转动及导轨上的平移，多方位多角度观测。