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公开(公告)号：CN117130234A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310960262.1
申请日：2023-08-02
Applicant: 南京大学
IPC: G03F7/32
Abstract: 本发明属于纳米材料和光学刻蚀技术领域，特别涉及一种无胶光刻量子点显影方法及其在图案化薄膜器件中应用；本发明通过在无配位或弱配位功能的单一溶剂中引入具有配位作用的功能分子，在实现显影和洗脱效果的同时，保证纳米晶体表面的配体分子不受影响，纳米晶体图案化后仍然具有原有的性能；本发明开发一种新的显影方式，将旋涂技术引入显影和洗脱方法中，通过转速的调整，实现对整个过程的精准控制，保证纳米晶体薄膜的均一度，避免在图案化不同纳米晶体的时候发生交叉污染，保证相关器件高效的工作性能。
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公开(公告)号：CN117420729B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311132211.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于纳米材料图案化方法技术领域，特别涉及一种基于有机磷配体的纳米晶体在光学图案化中的应用，本发明通过引入含磷基团的有机分子作为光敏配体，将纳米晶体转变为光敏涂料，实现直接图案化；本发明解决了在完成图案化的过程中有效降低纳米晶体性能损失的问题，且具有以下几点优势：1)高度的区域/立体专一性；2)光敏区间可调，适用于DUV，i‑line和h‑line光源光刻；3)具有高的反应灵敏度，需要极低的曝光剂量；4)对环境不敏感，可在空气氛中操作，反应条件温和，易于操作；本发明的工艺有望在电致及光致发光量子点显示器领域纳米晶体的商业化中得到应用。
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公开(公告)号：CN117420729A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311132211.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于纳米材料图案化方法技术领域，特别涉及一种基于有机磷配体的纳米晶体无胶光刻方法，本发明通过引入含磷基团的有机分子作为光敏配体，将纳米晶体转变为光敏涂料，实现直接图案化；本发明解决了在完成图案化的过程中有效降低纳米晶体性能损失的问题，且具有以下几点优势：1)高度的区域/立体专一性；2)光敏区间可调，适用于DUV，i‑line和h‑line光源光刻；3)具有高的反应灵敏度，需要极低的曝光剂量；4)对环境不敏感，可在空气氛中操作，反应条件温和，易于操作；本发明的工艺有望在电致及光致发光量子点显示器领域纳米晶体的商业化中得到应用。
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公开(公告)号：CN118591246A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410654974.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于QLED阵列器件和光刻图案化技术领域，特别涉及一种基于膦光敏剂无胶光刻空穴传输层和电子传输层的方法，本发明首次使用含有有机膦的分子作为光敏剂，以三苯基膦和三(2‑吡啶基)膦为例，在不使用高分子光刻胶以及室温紫外曝光的简单条件下实现了对包括聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑共‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]、聚[4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]等空穴传输层材料的高分辨率光刻图案化，以及对包括MgZnO纳米晶、ZnO纳米晶等电子传输层材料的高分辨率光刻图案化，该技术可以实现空穴传输层和电子传输层图案形貌的精确调控，所形成图案具有高分辨率和表面形貌平整均一的特点，对搭建高性能和长寿命QLED具有重要意义，并且拓宽了传统无胶光刻技术的应用范围。
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