公开(公告)号：CN102491252B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110373244.0

申请日：2011-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  高凡 ,  盛赟 ,  孙华斌 ,  潘力佳 ,  王剑宇 ,  王军转 ,  濮林 ,  王欣然 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。

公开(公告)号：CN102544136A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210008553.2

申请日：2012-01-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  盛贇 ,  王剑宇 ,  孙华斌 ,  潘力佳 ,  王军转 ,  濮林 ,  王欣然 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。

公开(公告)号：CN102544136B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210008553.2

申请日：2012-01-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  盛贇 ,  王剑宇 ,  孙华斌 ,  潘力佳 ,  王军转 ,  濮林 ,  王欣然 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。

公开(公告)号：CN102491252A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110373244.0

申请日：2011-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  高凡 ,  盛赟 ,  孙华斌 ,  潘力佳 ,  王剑宇 ,  王军转 ,  濮林 ,  王欣然 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。