公开(公告)号：CN1870299A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610085590.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  杨红官 ,  张荣 ,  濮林 ,  韩平 ,  顾书林 ,  朱顺明 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/40 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。

公开(公告)号：CN1305232A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN01108248.8

申请日：2001-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  吴军 ,  杨红官 ,  袁晓莉 ,  张荣 ,  韩平 ,  沈波 ,  胡立群 ,  江若琏 ,  朱顺明

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105

Abstract: 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属－氧化物－半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。