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公开(公告)号：CN105529242B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510504801.6
申请日：2015-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃，氢气等离子体处理样品5‑30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3)在PECVD系统中，覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。
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公开(公告)号：CN105239156A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510586924.9
申请日：2015-09-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理，使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒；4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层；5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火，利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。
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公开(公告)号：CN105177706A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510502869.0
申请日：2015-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时用氢气的等离子处理样品，使金属膜成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒；3)、在PECVD系统中覆盖一层适当厚度的非晶硅层作为前驱体介质层；4)、在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，激活的催化颗粒自发吸收周围的非晶硅，析出晶态硅，同时纳米线的生长方向发生周期性的变化，从而生长出zigzag形晶态纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140398B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510382778.8
申请日：2015-07-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池，包括从下至上结构：1)导电型衬底；2)均匀电子传输层；3)介电层；4)金属层；5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层；6)钙钛矿层的保护层；导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片、金属薄片；电子传输层采用ZnO、TiO2、PCBM；厚度一般在10nm～10um；介电层采用Al2O3、SiO2、SiNx，厚度在10nm～2um；金属层采用Au、Pt、Ag、Al；厚度在10nm～2um；孔道直径0.5～1.5um。钙钛矿层采用MAPbI3等有机金属卤化物半导体钙钛矿材料；厚度在100nm～20um。保护层采用疏水防氧化聚合物。以有效保持钙钛矿材料的性能及提高电池的稳定性；采用背接触结构，可以有效的降低正面电极的遮光损失，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN105529242A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510504801.6
申请日：2015-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃-500℃，氢气等离子体处理样品5-30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3)在PECVD系统中，覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。
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公开(公告)号：CN105140398A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510382778.8
申请日：2015-07-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003 , H01L51/441 , H01L51/448
Abstract: 本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池，包括从下至上结构：1)导电型衬底；2)均匀电子传输层；3)介电层；4)金属层；5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层；6)钙钛矿层的保护层；导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片、金属薄片；电子传输层采用ZnO、TiO2、PCBM；厚度一般在10nm～10um；介电层采用Al2O3、SiO2、SiNx，厚度在10nm～2um；金属层采用Au、Pt、Ag、Al；厚度在10nm～2um；孔道直径0.5～1.5um。钙钛矿层采用MAPbI3等有机金属卤化物半导体钙钛矿材料；厚度在100nm～20um。保护层采用疏水防氧化聚合物。以有效保持钙钛矿材料的性能及提高电池的稳定性；采用背接触结构，可以有效的降低正面电极的遮光损失，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN104634830A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510038531.4
申请日：2015-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种以甲烷为被测气体的PMMA-SnO2基薄膜气敏传感器，采用绝缘基底/PMMA-SnO2薄膜/电极结构，其中PMMA作为粘合剂，与带有SnO2量子点的有机溶剂混合形成旋涂液，通过旋涂形成PMMA-SnO2薄膜；薄膜结构采用的气敏材料是SnO2纳米颗粒，SnO2纳米颗粒的直径约为20±5nm。薄膜导电性良好，制备工艺简单，成本低；对附着的衬底要求不高，只需要旋涂到绝缘衬底上即可。值得一提的是，该薄膜传感器在较低的该温度下(50℃)，依然对甲烷保持着较高的响应灵敏度。
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公开(公告)号：CN103943724A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410155446.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种柔性高效晶体硅太阳电池及其制造方法，先在晶体硅衬底上制作至适宜的正面结构，制作保护层将正面结构保护好，用化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至呈现柔性，去除保护层，再制作背面结构及完善正面结构；衬底为晶体硅；完整的正面结构为陷光化/发射区/钝化减反层/正面电极；保护层在化学刻蚀体系中具有优良的耐腐蚀性，稳定性，完整性；化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至一定厚度，表现出优良的柔性；背面结构为背面场/钝化层/背面电极。本发明实现了用晶体硅作为柔性电池的吸收基区，具有优良的光电性能，是获得高效柔性电池的基础。
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