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公开(公告)号：CN102768951A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210234331.2
申请日：2012-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了采用金属铜离子辅助刻蚀制备黑硅的方法，（1）配置腐蚀溶液，所述的腐蚀溶液为氢氟酸、过氧化氢以及硝酸铜所组成的混合溶液；（2）将单晶或多晶硅片置于含有金属铜离子的腐蚀溶液中，控制腐蚀溶液温度以及反应时间；（3）将反应完成的硅片取出用氧化性酸液清洗，以去除金属残留，再用去离子水清洗烘干，得到黑硅材料；通过金属铜离子的催化作用，对单晶硅或多晶硅表面进行织构化刻蚀，制备表面具有均匀纳米孔洞的黑硅材料，从而显著降低单晶或多晶硅材料在其光吸收波段的反射率，实现提高硅基太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN104810249B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510171018.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种CdTe薄膜上生长CdS薄膜或CdS纳米结构的方法，包括如下步骤：1）将CdTe薄膜装入石英管中，放入烧结炉，然后排除石英管内的多余气体；（2）接着通入含硫化氢气体的混合气体，升温烧结炉对CdTe薄膜进行退火；（3）退火后降温，取出薄膜，得到成品。本发明把CdTe薄膜放入烧结炉中，并且通入硫化氢气体，然后升高烧结炉的温度，最后在CdTe薄膜表面原位生成了CdS薄膜或者CdS纳米结构。采用这种制备方法设备简单、成本低，在生长过程中温度低、不使用催化剂、模板等优点。是一种新的制备异质结的方法，可应用在异质结构光伏太阳电池（如CIGS,CZTS和CdTe）的制备中。
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公开(公告)号：CN103232060A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310163830.1
申请日：2013-05-03
Applicant: 南京大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明涉及一种CdS薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）清洗ITO玻璃衬底；（2）配置反应液；（3）将反应液置于反应槽中，然后将清洗后的ITO玻璃衬底竖直插入反应液中并固定，搅拌、升温反应液并振动反应槽或者敲打反应槽外壁，然后加入硫脲或者硫代硫酸钠，搅拌反应液并继续振动反应槽或者敲打反应槽外壁，沉积薄膜；（4）待薄膜沉积好后，将ITO玻璃衬底取出置于去离子水中进行超声清洗，然后进行烘干，得到CdS薄膜。采用本发明所述方法生成的CdS薄膜表面形貌得到了改善，且均匀性也明显提高，可以得到大面积的生长均匀、致密的CdS薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1248245C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310112601.3
申请日：2003-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰与硅的摩尔比为1-10%的薄膜材料。其厚度为1-10，000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：在硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成锰与硅的摩尔比为1-10%的厚度为1-10微米的硅薄膜，然后以温度为900-1400℃的范围内且在保护性气氛条件下将硅材料的结晶化，时间为20min-2小时，得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度；同时，其电传输特性也呈半导体特性。
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公开(公告)号：CN1547222A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310112601.3
申请日：2003-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰在硅中的含量为1－10％摩尔比的薄膜材料。其厚度为1－10,000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：在硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成含锰量为1－10％的厚度为1－10微米的硅薄膜，然后以温度为900－1400℃的范围内且在保护性气氛条件下将硅材料的结晶化，时间为20min－2小时，得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度；同时，其电传输特性也呈半导体特性。
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公开(公告)号：CN104810249A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510171018.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02365 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种CdTe薄膜上生长CdS薄膜或CdS纳米结构的方法，包括如下步骤：1）将CdTe薄膜装入石英管中，放入烧结炉，然后排除石英管内的多余气体；（2）接着通入含硫化氢气体的混合气体，升温烧结炉对CdTe薄膜进行退火；（3）退火后降温，取出薄膜，得到成品。本发明把CdTe薄膜放入烧结炉中，并且通入硫化氢气体，然后升高烧结炉的温度，最后在CdTe薄膜表面原位生成了CdS薄膜或者CdS纳米结构。采用这种制备方法设备简单、成本低，在生长过程中温度低、不使用催化剂、模板等优点。是一种新的制备异质结的方法，可应用在异质结构光伏太阳电池（如CIGS,CZTS和CdTe）的制备中。
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公开(公告)号：CN102286741B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110257959.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C24/08
Abstract: 本发明涉及一种碲化镉薄膜制备方法，属于材料镀覆技术领域。该方法通过在近空间升华装置的真空室中，控制碲化镉源和衬底的距离，通过调节真空室的气压以控制真空室内的含氧量，通过在不同真空度和温度下对碲化镉源和衬底进行的两次加热、保温和冷却过程，形成碲化镉膜同相晶格的两次生长，从而生成具有晶粒大和较好织构的碲化镉薄膜；而且这种两次生长方式对衬底的形貌依赖程度较其它生长方式有很大的减小，因此可以在普通玻璃上低成本高效率地直接生长碲化镉薄膜。
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公开(公告)号：CN102286741A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110257959.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C24/08
Abstract: 本发明涉及一种碲化镉薄膜制备方法，属于材料镀覆技术领域。该方法通过在近空间升华装置的真空室中，控制碲化镉源和衬底的距离，通过调节真空室的气压以控制真空室内的含氧量，通过在不同真空度和温度下对碲化镉源和衬底进行的两次加热、保温和冷却过程，形成碲化镉膜同相晶格的两次生长，从而生成具有晶粒大和较好织构的碲化镉薄膜；而且这种两次生长方式对衬底的形貌依赖程度较其它生长方式有很大的减小，因此可以在普通玻璃上低成本高效率地直接生长碲化镉薄膜。
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