公开(公告)号：CN104810249A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510171018.2

申请日：2015-04-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 马李刚 ,  刘文超 ,  吴小山 ,  张凤鸣

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02365 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种CdTe薄膜上生长CdS薄膜或CdS纳米结构的方法，包括如下步骤：1）将CdTe薄膜装入石英管中，放入烧结炉，然后排除石英管内的多余气体；（2）接着通入含硫化氢气体的混合气体，升温烧结炉对CdTe薄膜进行退火；（3）退火后降温，取出薄膜，得到成品。本发明把CdTe薄膜放入烧结炉中，并且通入硫化氢气体，然后升高烧结炉的温度，最后在CdTe薄膜表面原位生成了CdS薄膜或者CdS纳米结构。采用这种制备方法设备简单、成本低，在生长过程中温度低、不使用催化剂、模板等优点。是一种新的制备异质结的方法，可应用在异质结构光伏太阳电池（如CIGS,CZTS和CdTe）的制备中。

公开(公告)号：CN104810249B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201510171018.2

申请日：2015-04-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 马李刚 ,  刘文超 ,  吴小山 ,  张凤鸣

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种CdTe薄膜上生长CdS薄膜或CdS纳米结构的方法，包括如下步骤：1）将CdTe薄膜装入石英管中，放入烧结炉，然后排除石英管内的多余气体；（2）接着通入含硫化氢气体的混合气体，升温烧结炉对CdTe薄膜进行退火；（3）退火后降温，取出薄膜，得到成品。本发明把CdTe薄膜放入烧结炉中，并且通入硫化氢气体，然后升高烧结炉的温度，最后在CdTe薄膜表面原位生成了CdS薄膜或者CdS纳米结构。采用这种制备方法设备简单、成本低，在生长过程中温度低、不使用催化剂、模板等优点。是一种新的制备异质结的方法，可应用在异质结构光伏太阳电池（如CIGS,CZTS和CdTe）的制备中。

公开(公告)号：CN103232060A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310163830.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 马李刚 ,  吴小山 ,  张凤鸣

IPC: C01G11/02

Abstract: 本发明涉及一种CdS薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）清洗ITO玻璃衬底；（2）配置反应液；（3）将反应液置于反应槽中，然后将清洗后的ITO玻璃衬底竖直插入反应液中并固定，搅拌、升温反应液并振动反应槽或者敲打反应槽外壁，然后加入硫脲或者硫代硫酸钠，搅拌反应液并继续振动反应槽或者敲打反应槽外壁，沉积薄膜；（4）待薄膜沉积好后，将ITO玻璃衬底取出置于去离子水中进行超声清洗，然后进行烘干，得到CdS薄膜。采用本发明所述方法生成的CdS薄膜表面形貌得到了改善，且均匀性也明显提高，可以得到大面积的生长均匀、致密的CdS薄膜。