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公开(公告)号：CN102351429B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110186972.0
申请日：2011-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 宽禁带纳米硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：作为衬底的ITO玻璃要在有机溶剂浸泡超声清洗并干燥后放入反应容器中，在反应溶液中加入氧化性添加剂：在配制反应溶液阶段，在容器中加入镉盐及其同酸根的铵盐，再加入去离子水，加热温度到40-70℃温度时，加入适量弱碱水溶液（氨溶液）用于生成镉的络合物，形成第一步的反应溶液；在加入弱碱溶液的同时加入氧化性添加剂，氧化剂是有机过氧化物（ROOH）、有机过氧酸(RCOOOH)、2%~30%双氧水，加的量为镉盐摩尔数的１％至１０％；此时再加入硫脲，此种宽禁带纳米硫化镉薄膜的透光性和能隙均有明显提高，可以更有利于制作碲化镉电池或者铜铟镓硒电池的窗口材料。
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公开(公告)号：CN102351429A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110186972.0
申请日：2011-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 宽禁带纳米硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：作为衬底的ITO玻璃要在有机溶剂浸泡超声清洗并干燥后放入反应容器中，在反应溶液中加入氧化性添加剂：在配制反应溶液阶段，在容器中加入镉盐及其同酸根的铵盐，再加入去离子水，加热温度到40-70℃温度时，加入适量弱碱水溶液（氨溶液）用于生成镉的络合物，形成第一步的反应溶液；在加入弱碱溶液的同时加入氧化性添加剂，氧化剂是有机过氧化物（ROOH）、有机过氧酸(RCOOOH)、2%~30%双氧水，加的量为镉盐摩尔数的1％至10％；此时再加入硫脲，此种宽禁带纳米硫化镉薄膜的透光性和能隙均有明显提高，可以更有利于制作碲化镉电池或者铜铟镓硒电池的窗口材料。
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公开(公告)号：CN102286741B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110257959.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C24/08
Abstract: 本发明涉及一种碲化镉薄膜制备方法，属于材料镀覆技术领域。该方法通过在近空间升华装置的真空室中，控制碲化镉源和衬底的距离，通过调节真空室的气压以控制真空室内的含氧量，通过在不同真空度和温度下对碲化镉源和衬底进行的两次加热、保温和冷却过程，形成碲化镉膜同相晶格的两次生长，从而生成具有晶粒大和较好织构的碲化镉薄膜；而且这种两次生长方式对衬底的形貌依赖程度较其它生长方式有很大的减小，因此可以在普通玻璃上低成本高效率地直接生长碲化镉薄膜。
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公开(公告)号：CN102286741A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110257959.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C24/08
Abstract: 本发明涉及一种碲化镉薄膜制备方法，属于材料镀覆技术领域。该方法通过在近空间升华装置的真空室中，控制碲化镉源和衬底的距离，通过调节真空室的气压以控制真空室内的含氧量，通过在不同真空度和温度下对碲化镉源和衬底进行的两次加热、保温和冷却过程，形成碲化镉膜同相晶格的两次生长，从而生成具有晶粒大和较好织构的碲化镉薄膜；而且这种两次生长方式对衬底的形貌依赖程度较其它生长方式有很大的减小，因此可以在普通玻璃上低成本高效率地直接生长碲化镉薄膜。
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