一种阈值自适应的集合相似连接方法

    公开(公告)号:CN108573052A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810368421.8

    申请日:2018-04-23

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种阈值自适应的集合相似连接方法,对于保存在数据库中的由集合记录构成的数据集R和S,以及相似度阈值τ,共包含六个步骤,其中前两个步骤属于数据预处理阶段,后四个步骤属于相似连接阶段:第一步,对R和S中所有的集合元素按照出现频率重编号;第二步,计算S集合元素的倒排索引I并将I存入数据库;第三步,对于R中的每条记录r,利用过滤器得到S中与r的相似度系数不小于阈值τ的候选记录集;第四步和第五步分别计算全量计算和直接验证两种模式的数据库获取开销;第六步选择开销更小的方式计算r的相似记录对。本发明可在广阈值范围内均高效的进行集合相似连接计算,解决现有技术不能同时兼顾低阈值和高阈值情况的问题。

    一种阈值自适应的集合相似连接方法

    公开(公告)号:CN108573052B

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201810368421.8

    申请日:2018-04-23

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种阈值自适应的集合相似连接方法,对于保存在数据库中的由集合记录构成的数据集R和S,以及相似度阈值τ,共包含六个步骤,其中前两个步骤属于数据预处理阶段,后四个步骤属于相似连接阶段:第一步,对R和S中所有的集合元素按照出现频率重编号;第二步,计算S集合元素的倒排索引I并将I存入数据库;第三步,对于R中的每条记录r,利用过滤器得到S中与r的相似度系数不小于阈值τ的候选记录集;第四步和第五步分别计算全量计算和直接验证两种模式的数据库获取开销;第六步选择开销更小的方式计算r的相似记录对。本发明可在广阈值范围内均高效的进行集合相似连接计算,解决现有技术不能同时兼顾低阈值和高阈值情况的问题。

    采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101956160B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010505416.0

    申请日:2010-10-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法,包括如下三个步骤:(1)处理金属,使金属原子进入气相;(2)降低进入气相的金属原子的动能;(3)将步骤(2)中获得的金属原子沉积在柔性物质表面,形成金属薄膜。本发明提供的采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法,操作简单,并能够在柔性物质表面形成清晰的柔性物质/金属界面,且金属原子基本不会扩散到柔性物质薄膜内,保证柔性物质分子不受破坏,能够使柔性物质保持完好的物理化学性质,成膜质量高,薄膜间内应力小。

    采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101956160A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN201010505416.0

    申请日:2010-10-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法,包括如下三个步骤:(1)处理金属,使金属原子进入气相;(2)降低进入气相的金属原子的动能;(3)将步骤(2)中获得的金属原子沉积在柔性物质表面,形成金属薄膜。本发明提供的采用气体散射方式在柔性物质表面蒸镀金属薄膜的方法,操作简单,并能够在柔性物质表面形成清晰的柔性物质/金属界面,且金属原子基本不会扩散到柔性物质薄膜内,保证柔性物质分子不受破坏,能够使柔性物质保持完好的物理化学性质,成膜质量高,薄膜间内应力小。

    金属铜离子辅助刻蚀制备黑硅的方法

    公开(公告)号:CN102768951A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201210234331.2

    申请日:2012-07-06

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了采用金属铜离子辅助刻蚀制备黑硅的方法,(1)配置腐蚀溶液,所述的腐蚀溶液为氢氟酸、过氧化氢以及硝酸铜所组成的混合溶液;(2)将单晶或多晶硅片置于含有金属铜离子的腐蚀溶液中,控制腐蚀溶液温度以及反应时间;(3)将反应完成的硅片取出用氧化性酸液清洗,以去除金属残留,再用去离子水清洗烘干,得到黑硅材料;通过金属铜离子的催化作用,对单晶硅或多晶硅表面进行织构化刻蚀,制备表面具有均匀纳米孔洞的黑硅材料,从而显著降低单晶或多晶硅材料在其光吸收波段的反射率,实现提高硅基太阳能电池的转化效率。

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