一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN114855259B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202210344261.X

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域,尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法,现提出如下方案,其包括如下步骤:将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体,将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液,将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发,得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯,生长溶剂无污染,溶液透明,便于实时观测;可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶,本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合,具有合成工艺简单,溶剂无污染,生长周期短的优点。

    一种光辅助充电锂硫充电电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN112750626A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202110170055.7

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 本发明公开了本发明涉及一种光辅助充电锂硫充电电池及其制备方法,通过将敏化TiO2光阳极与单质硫电池正极材料集成在一起,构成具有在同一电极上同时实现将光能转化为电能,再将电能转化为化学能的功能。将制备的光电混合硫阴极和锂片阳极利用滴加电解液的隔膜组装在自制电池壳中,最终制得光辅助充电锂硫充电电池。这种混合电极能够满足敏化TiO2和硫的能级匹配,实现了高容量锂硫电池在光辅助充电电池中的应用。集成后的混合锂硫电池,在光照情况下,降低了硫离子充电过程中的氧化电位,使得锂硫电池的充电电压降低了0.12 V,并且在2.4 V的恒压充电下,充电速度提升了一倍多。

    一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术

    公开(公告)号:CN104833677B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201510227560.5

    申请日:2015-05-06

    Abstract: 本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术,使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线,包括晶体生长槽和生长槽温度控制器,晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔,首先在室温下量取适量晶体生长溶液,加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中;称取晶体,从补料孔加入到晶体生长槽中;待晶体充分溶解,通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度,与此同时,通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术,操作简单,易于观察,精度高,适用于多数无机、有机以及有机‑无机杂合溶液晶体的测定。

    大尺寸混合卤素甲胺铅溴氯晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN107445842B

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201710396945.3

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明公开了大尺寸混合卤素甲胺铅溴氯晶体的制备方法,包括如下步骤:将一甲胺水溶液和氢溴酸水搅拌蒸干;步骤S2,将一甲胺水溶液和氢氯酸搅拌蒸干;步骤S3,将PbBr2与CH3NH3Br及PbCl2与CH3NH3Cl溶于DMF与DMSO溶剂得CH3NH3Pb(Br1‑xClx)3母液;改变PbBr2/PbCl2摩尔比得x不同的CH3NH3Pb(Br1‑xClx)3母液;步骤S4,将CH3NH3Pb(Br1‑xClx)3母液升温至95‑105℃,恒温至晶体析出,晶体尺寸不再长大时取出。本发明通过变化原料比例可得不同卤素比例的CH3NH3Pb(Br1‑xClx)3晶体。

    大尺寸混合卤素甲胺铅溴碘晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN107141222B

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201710396953.8

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明公开了大尺寸混合卤素甲胺铅溴碘晶体的制备方法,0<x<1,晶形为四边形或六边形立方体,大尺寸指边长2‑10mm,高2‑4mm,包括:步骤S1,将一甲胺水溶液和氢溴酸水溶液按等摩溶质于冰水浴条件混合搅拌蒸干;步骤S2,将一甲胺水溶液和氢碘酸水溶液按等摩溶质于冰水浴条件混合搅拌蒸干;步骤S3,常温将等摩PbBr2与CH3NH3Br以及等摩PbI2与CH3NH3I溶于N,N二甲基甲酰胺与γ‑丁内酯混合溶剂得母液;改变PbBr2/PbI2摩尔比得x不同的母液;步骤S4,将母液升温至95‑105℃,至晶体析出,晶体尺寸不再长大时取出。

    一种基于四极板设计的高时间分辨离子速度成像仪

    公开(公告)号:CN104934288B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201510237939.4

    申请日:2015-05-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于四极板设计的高时间分辨离子速度成像仪,包括MCP探测器、飞行管和一端封闭另一端敞开的中空的圆柱形腔体,所述MCP探测器、飞行管和圆柱形腔体同轴设置,MCP设置于飞行管的一端,飞行管的另一端从所述圆柱形腔体的敞开端伸入其内部,所述圆柱形腔体内部,在从圆柱形腔体的封闭端至飞行管的另一端之间还同轴依次设置有第一至第四极板,所述第一至第四极板为圆形,圆形的中心开设有圆孔,第二至第四极板的中心圆孔直径相同,第一极板的中心圆孔直径小于第二至第四极板的中心圆孔直径,第一至第四极板等间距的设置。本发明实现离子的飞行时间纵向聚焦,大大提高了探测离子的飞行时间质谱的分辨率。

    大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN104131352A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410340735.9

    申请日:2014-07-17

    Abstract: 本发明公开了大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法,将PbI2用HI溶液溶解,配制Pb2+-HI溶液;将HI溶液与CH3NH2溶液按摩尔比1:1混合,在0℃下反应2h,得到CH3NH2I溶液;将上述Pb2+-HI溶液与CH3NH2I溶液混合,其中CH3NH2I与Pb2+的摩尔比为(1~2):1,于95℃下预热48~72h,得到过饱和溶液,过滤,得到CH3NH3PbI3晶体生长的母液;于95.5~96℃的水浴中预热12~24h,置于晶体生长容器中,程序降温至45℃后保持恒温,得到CH3NH3PbI3晶体。本发明工艺中HI溶液既参与原料合成,又是晶体生长的溶剂,具有合成工艺简单,副反应少的优点;生长装置简易,能生长出高质量、大尺寸的晶体。

    掺钕钆钪铝石榴石纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN102311138B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110223849.1

    申请日:2011-08-05

    Abstract: 掺钕钆钪铝石榴石纳米粉体的制备方法,步骤为:a.配制Gd(NO3)3、Nd(NO3)3、Sc(NO3)3、Al(NO3)3溶液;b.称取NH4HCO3,用水溶解,在反应器内先加入体积占反应器1/10的碳酸氢铵溶液;c.将硝酸盐和碳酸氢铵同步、同速滴加到反应器内并对反应器内溶液进行充分的搅拌;d.反应器内得到白色糊状物,并进行离心沉淀,收集离心管底部沉淀,然后再将沉淀先后分散于乙醇溶液、水中,进行再次沉淀;e.收集经离心沉淀后的前驱物粉体,烘干并研磨;f.收集研磨后的粉体,放入马弗炉进行煅烧,获得目标粉体。合成原理及操作过程简单,烧结温度和烧结时间较短,降低了合成成本。

    一种制备纳米二氧化钛的方法

    公开(公告)号:CN102826597A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210292798.2

    申请日:2012-08-17

    Abstract: 本发明提供一种制备纳米二氧化钛的方法,属于光催化材料技术领域。所述方法,包括如下步骤:配制钛酸盐溶液、质量百分比浓度为0.5%~1.5%的明胶溶液,将明胶溶液加入钛酸盐溶液,搅拌直至得到凝胶,将所述凝胶置干燥,得到分散均匀的白色粉体,煮沸,水洗,然后用乙醇洗涤,空气中自然干燥,得到纳米二氧化钛。本发明为了克服现有纳米二氧化钛溶胶-凝胶制备技术中的不足,提供了一种简单的低温制备工艺,得到的纳米二氧化钛粒径分布均匀,分散性好,避免了纳米二氧化钛粒子间的团聚。

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